|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
А. П. Крохмаль, В. П. Кошеленко, “Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными
донорами, в $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 669–672  |
|
1989 |
| 2. |
И. С. Горбань, А. П. Крохмаль, И. А. Рожко, “Деформационные потенциалы и симметрия валентной зоны в 6$H$SiC”, Физика твердого тела, 31:12 (1989), 126–131  |
|
1987 |
| 3. |
И. С. Горбань, А. П. Крохмаль, В. И. Левин, А. С. Скирда, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Примесное оптическое поглощение и энергетическая структура
$1s$-состояний доноров в $4H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 194–197 |
|
1986 |
| 4. |
И. С. Горбань, А. П. Крохмаль, “Спектр поглощения экситонов, связанных на нейтральных атомах бора, в кубическом карбиде кремния”, Физика твердого тела, 28:8 (1986), 2285–2289 |
|
Обратная связь: