Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Гольцман Борис Маркович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 3
Научных статей: 3

Статистика просмотров:
Эта страница:72
Страницы публикаций:142
Полные тексты:50
кандидат физико-математических наук (1956)

Научная биография:

Гольцман, Борис Маркович. Разработка и исследование метода получения ленты из алюминия и сплава $Al-Cu$ непосредственно из жидкого металла : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00. - Ленинград, 1956. - 171 с. : ил.

   
Основные публикации:
  • Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе $Bi_2Te_3$ / Б. М. Гольцман, В. А. Кудинов, И. А. Смирнов ; под ред. Б. Я. Мойжеса. - Москва : Наука, 1972. - 320 с. : ил.; 21 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов).
  • Плёночные термоэлементы: физика и применение / [Б. М. Гольцман, З. М. Дашевский, В. И. Кайданов, Н. В. Коломоец]; Отв. ред. Н. С. Лидоренко. - Москва : Наука, 1985. - 232 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person161746
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=23456

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1987
1. Б. М. Гольцман, А. Е. Дулькин, С. А. Казьмин, В. Н. Наумов, Ю. И. Равич, “Кинетические эффекты в пленках PbTe с аномальной термоэдс”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  707–709  mathnet
1986
2. Б. М. Гольцман, Г. Н. Иконникова, В. А. Кутасов, “Теплопроводность твердых растворов на основе теллурида висмута”, Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2218–2221  mathnet  isi
1985
3. Б. М. Гольцман, Г. Н. Иконникова, В. А. Кутасов, Ю. И. Равич, “Механизмы рассеяния и температурная зависимость эффективной массы электронов в твердых растворах на основе теллурида висмута”, Физика твердого тела, 27:2 (1985),  542–545  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024