|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
О. Б. Гусев, М. С. Бреслер, Н. В. Зотова, Н. М. Стусь, “Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа
в системе InAs/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 738–741  |
| 2. |
М. Ш. Айдаралиев, Г. Г. Зегря, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Природа температурной зависимости пороговой плотности тока
длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 246–256 |
|
1991 |
| 3. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Светодиоды на основе InAsSbP
для анализа окислов углерода”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 75–79  |
|
1990 |
| 4. |
Н. В. Зотова, А. В. Лосев, Б. А. Матвеев, H. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, А. С. Филипченко, “Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев
InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 76–80 |
|
1989 |
| 5. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Н. М. Стусь, “Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых
растворов InAsSbP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 592–596 |
| 6. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Низкопороговые лазеры
$3{-}3.5$ мкм
на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 49–52 |
|
1988 |
| 7. |
М. Ш. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Стимулированное излучение
(3$-$3.3 мкм, 77 K)
при инжекции тока в пластически деформированных ДГС
InAsSbP/InAs”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1617–1621 |
|
1987 |
| 8. |
Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Ю. Ю. Билинец, “Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев
и $p{-}n$-структур на
основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As
(${0 < x < 0.23}$)”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1079–1084 |
| 9. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 563–565 |
| 10. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 329–331 |
|
1986 |
| 11. |
Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$”, Письма в ЖТФ, 12:23 (1986), 1444–1447 |
|
1985 |
| 12. |
Н. П. Есина, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Л. Д. Неуймина, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур
InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2031–2035 |
|
1984 |
| 13. |
Н. С. Аверкиев, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов
InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1795–1798 |
|
1983 |
| 14. |
Н. П. Есина, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Г. М. Филаретова, “Структура металл–полупроводник на основе
$p$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 991–996 |
| 15. |
Н. П. Есина, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Н. В. Стусь, Г. Н. Талалакин, Т. Д. Абишев, “Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов
InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983), 391–395 |
|
Обратная связь: