|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Е. В. Винник, К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида
галлия”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 82–87  |
|
1990 |
| 2. |
К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, В. Ю. Птицын, “Некоторые свойства индуцированных кислородом рекомбинационных центров
в термообработанном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1685–1689 |
| 3. |
Е. В. Винник, К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Понижение термической стабильности
комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1363–1366 |
|
1989 |
| 4. |
К. Д. Глинчук, Н. С. Заяц, А. В. Прохорович, “Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 657–661 |
|
1987 |
| 5. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Индуцированная радиационно-термическим воздействием полоса
люминесценции с ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ эВ в $p$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1659–1663 |
|
1986 |
| 6. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Влияние облучения быстрыми электронами на люминесценцию СЛК
эпитаксиальных слоев
$p$-GaAs(Si)”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1874–1877 |
| 7. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Взаимодействие радиационных дефектов с атомами хрома в арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 567–569 |
|
1985 |
| 8. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Изменение положения максимума и полуширины полосы люминесценции,
обусловленной излучательной рекомбинацией в комплексах
$V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ при электронном облучении GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1326–1328 |
| 9. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Увеличение концентрации центров тушения люминесценции
при отжиге облученных электронами кристаллов арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1163–1164 |
| 10. |
К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, З. А. Сальник, С. И. Скрыль, А. Л. Трошин, “Влияние углерода на время жизки неосновных носителей тока
в термообработанном кислородосодержащем кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 770–771 |
| 11. |
К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, З. А. Сальник, С. И. Скрыль, “О влиянии термообработки на время жизни неосновных носителей тока
в кислородосодержащем кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 341–343 |
|
1984 |
| 12. |
К. Д. Глинчук, Н. С. Заяц, А. В. Прохорович, “Понижение термической стабильности комплексов
$V_{\text{As}}\text{Zn}_{\text{Ga}}$
при радиационном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 736–739 |
|
1983 |
| 13. |
К. Д. Глинчук, Н. С. Заяц, А. В. Прохорович, “Изменение внутренней квантовой эффективности излучения,
обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных
электронами кристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 751–753 |
| 14. |
К. Д. Глинчук, Н. С. Заяц, А. В. Прохорович, “Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при
отжиге облученных кристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 164–166 |
|
Обратная связь: