|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
З. М. Алексеева, В. М. Диамант, Л. М. Красильникова, Н. П. Криворотов, Л. П. Пороховниченко, “Эффекты анизотропии сжатия в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных
серой, при всестороннем давлении”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1743–1746  |
| 2. |
В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, З. В. Коротченко, Н. П. Криворотов, В. А. Позолотин, “Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление твердого
раствора $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 623–627 |
| 3. |
Ю. М. Калинин, Н. П. Криворотов, “Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток
туннельных диодов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 219–222 |
|
1986 |
| 4. |
А. П. Вяткин, Ю. М. Калинин, Н. П. Криворотов, “Исследование влияния температуры и гидростатического давления на
междузонный ток GaSb-туннельных диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 564–566 |
|
1984 |
| 5. |
А. П. Вяткин, К. И. Иноземцев, Ю. М. Калинин, Н. П. Криворотов, В. М. Ломако, А. М. Новоселов, “Исследование глубоких уровней гомо- и гетеропереходов на арсениде
галлия методом туннельной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 76–78 |
|
Обратная связь: