|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Н. Ю. Арутюнов, Н. А. Соболев, В. Ю. Тращаков, Е. И. Шек, “Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе
термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1785–1789  |
|
1986 |
| 2. |
Н. Ю. Арутюнов, А. С. Балтенков, В. Б. Гилерсон, В. Ю. Тращаков, “Анизотропия угловых распределений гамма-квантов, обусловленная
аннигиляцией позитронов с электронами ионных остовов алмазоподобных
полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1753–1757 |
| 3. |
Н. Ю. Арутюнов, В. В. Емцев, В. Ю. Тращаков, Э. Э. Рубинова, “Анизотропия угловых распределений аннигиляционных гамма-квантов,
обусловленная радиационными дефектами в нейтронно-облученном германии”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 552–555 |
|
1983 |
| 4. |
П. У. Арифов, Н. Ю. Арутюнов, В. Ю. Тращаков, З. Р. Абдурасулев, “Эффект анизотропии широкого компонента углового распределения
аннигиляционного излучения в германии и кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1926–1930 |
|
Обратная связь: