|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
А. К. Семенюк, П. Ф. Назарчук, “Изменение энергии ионизации радиационного дефекта с уровнем
$E_{c}{-}0.2$ эВ в $n$-Si при одноосной деформации”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2056–2057  |
|
1986 |
| 2. |
А. К. Семенюк, А. В. Федосов, Л. И. Панасюк, В. С. Тимощук, “Пьезосопротивление облученного
$n$-Si со слоистым распределением
примеси”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 545–547 |
|
1985 |
| 3. |
А. К. Семенюк, П. Ф. Назарчук, “Влияние одноосной деформации на энергию ионизации $A$-центра
в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1331–1333 |
|
1984 |
| 4. |
А. К. Семенюк, П. Ф. Назарчук, “Влияние одноосных деформаций на положение глубокого уровня золота
в $n$-Ge”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 540–542 |
|
Обратная связь: