|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
В. Ф. Мастеров, Ф. С. Насрединов, Ч. С. Саидов, П. П. Серегин, О. К. Щербатюк, “Параметры тензора кристаллического ГЭП в узлах меди решеток YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$”, Физика твердого тела, 34:7 (1992), 2294–2297   |
| 2. |
Ф. С. Насрединов, В. Ф. Мастеров, П. П. Серегин, П. Алпамишев, Е. Б. Шадрин, О. К. Щербатюк, “Параметры тензора ГЭП в узлах меди решетки La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$”, Физика твердого тела, 34:4 (1992), 1313–1316 |
| 3. |
Н. П. Ильин, А. Э. Васильев, В. Ф. Мастеров, “Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде
и фосфиде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1878–1885 |
| 4. |
Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров, А. Э. Васильев, “Примесный центр с частично заполненной $d$-оболочкой в бинарном
полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1866–1877 |
| 5. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. А. Смирнов, К. Ф. Штельмах, “Структура примесного центра марганца в антимониде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 89–94 |
| 6. |
А. С. Катков, В. И. Кржимовский, C. B. Козырев, В. Ф. Мастеров, “Регистрация фазовых переходов в ВТСП с помощью микроволновых
радиоимпульсов”, Письма в ЖТФ, 18:23 (1992), 18–21 |
| 7. |
В. Ф. Мастеров, А. В. Приходько, Г. Г. Сельмистрайтис, А. Н. Чурсинов, “Исследование эффекта Джозефсона в слабосвязанных высокотемпературных
сверхпроводниках при помощи СВЧ-сканера”, Письма в ЖТФ, 18:11 (1992), 31–34 |
|
1991 |
| 8. |
И. М. Аскеров, В. Ф. Мастеров, В. Н. Кондратьев, К. Г. Биннатов, Г. К. Асланов, А. О. Мехрабов, Х. Ф. Гаджиев, “Аннигиляция позитронов в дефектных кристаллах Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$), легированных переходными и редкоземельными элементами”, Физика твердого тела, 33:12 (1991), 3479–3483 |
| 9. |
В. Ф. Мастеров, Ф. С. Насрединов, Г. Т. Дарибаева, В. Ф. Кобелев, П. П. Серегин, Н. Н. Троицкая, “Сравнение экспериментальных и расчетных значений параметров тензора ГЭП для примесных атомов железа в окиси меди”, Физика твердого тела, 33:9 (1991), 2699–2704 |
| 10. |
В. Ф. Мастеров, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, Э. С. Хужакулов, Р. А. Хайдаров, “Параметры тензора ГЭП в узлах меди и бария решетки La$_{1.9}$Ba$_{0.1}$CuO$_{4}$, определенные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии”, Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1912–1915 |
| 11. |
И. М. Аскеров, Ф. Ш. Айдаев, Г. К. Асланов, В. Ф. Мастеров, Б. Г. Тагиев, “Люминесценция примесных центров Eu и Mn в монокристаллах
Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$)”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2042–2044 |
| 12. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Влияние концентрации марганца на спектр фотолюминесценции GaSb”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2024–2027 |
| 13. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, Ф. М. Мунтяну, “О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида
галлия $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1589–1592 |
| 14. |
В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, И. Л. Лихолит, И. А. Терлецкий, “ЭПР аксиального центра иттербия в InP”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1375–1380 |
| 15. |
А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров, “Структура волновых функций примесных центров переходных элементов
в соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 203–207 |
| 16. |
Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров, А. Э. Васильев, “Модель бинарного полупроводника на
основе самосогласованного метода
непрерывных дробей”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 185–190 |
|
1990 |
| 17. |
Г. Т. Дарибаева, В. Ф. Мастеров, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, “Параметры тензора градиента электрического поля в узлах бария для YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$, определенные методом мессбауэровской спектроскопии”, Физика твердого тела, 32:11 (1990), 3430–3433 |
| 18. |
С. И. Бондаревский, В. Ф. Мастеров, П. П. Серегин, “Центры меди в полупроводниковой и сверхпроводящей фазах YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 3150–3154 |
| 19. |
Г. Т. Дарибаева, В. Ф. Мастеров, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, “Определение параметров тензора ГЭП в узлах меди в Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8}$ и YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ методом мессбауэровской спектроскопии”, Физика твердого тела, 32:8 (1990), 2306–2310 |
| 20. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. М. Погорлецкий, Т. Пиотровский, В. А. Смирнов, “Фотолюминесценция Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te, связанная с локальным
уровнем Mn$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2160–2166 |
| 21. |
В. Ф. Мастеров, Л. Ф. Захаренков, “Редкоземельные элементы
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 610–630 |
|
1989 |
| 22. |
В. Ф. Мастеров, А. В. Федоров, С. В. Козырев, К. Ф. Штельмах, “Макроскопические квантовые эффекты в монокристаллах сверхпроводника Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 112–115 |
| 23. |
В. А. Берштейн, А. А. Гурьянов, В. М. Егоров, В. Ф. Мастеров, Д. А. Мясников, А. В. Федоров, И. А. Хахаев, Ф. А. Чудновский, Е. Б. Шадрин, “Особенности поведения Y$-$Ba$-$Cu$-$О керамик в интервале температур 80$-$300 K”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 221–228 |
| 24. |
В. Ф. Мастеров, В. П. Савельев, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, “Свойства сильно легированных кристаллов InP$\langle\text{Yb}\rangle$
и InP$\langle\text{Er}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2229–2231 |
| 25. |
Б. Х. Байрамов, Л. Ф. Захаренков, Г. В. Ильменков, В. Ф. Мастеров, В. В. Топоров, “О влиянии РЗЭ на свойства объемных монокристаллов InP”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1496–1499 |
| 26. |
И. М. Аскеров, В. Ф. Кобелев, В. Ф. Мастеров, О. Б. Тагиев, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Лихолит, “О состоянии примеси европия в дефектных соединениях
А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$
по данным ЭПР и эффекта
Мессбауэра”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1307–1309 |
| 27. |
И. М. Аскеров, В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов
A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1305–1307 |
| 28. |
А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров, “Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных
элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 804–808 |
| 29. |
С. В. Козырев, В. Ф. Мастеров, А. В. Приходько, А. В. Федоров, Р. А. Xопаев, Д. В. Клячко, В. В. Угаров, “Особенности структуры
металл$-$полупроводник$-$ сверхпроводник$-$полупроводник$-$металл”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 57–60 |
|
1988 |
| 30. |
И. Л. Лихолит, В. М. Любин, В. Ф. Мастеров, В. А. Федоров, “Фотопотемнение и фотоиндуцированный парамагнетизм в пленочных и монолитных образцах стеклообразного As$_{2}$S$_{3}$”, Физика твердого тела, 30:5 (1988), 1500–1502 |
| 31. |
А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров, “Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных
элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1253–1257 |
| 32. |
В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, М. Н. Барбашов, “ЭПР связанных дырок в GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 654–656 |
| 33. |
В. Ф. Мастеров, В. А. Харченко, О. Д. Хохрякова, “О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных
редкоземельными элементами”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 118–122 |
| 34. |
Н. П. Герасимов, В. И. Кржимовский, А. С. Катков, С. В. Козырев, Е. И. Леонов, В. Ф. Мастеров, С. Э. Хабаров, “Наблюдение нестационарного эффекта Джозефсона в длинных
мостиках
из керамики Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1683–1686 |
| 35. |
А. В. Приходько, С. В. Козырев, В. Ф. Мастеров, С. Э. Хабаров, “Генерация третьей гармоники в СВЧ-диапазоне сверхпроводящей керамике”, Письма в ЖТФ, 14:16 (1988), 1501–1504 |
| 36. |
В. Ф. Мастеров, С. В. Козырев, К. Ф. Штельмах, A. З. Федоров, “Квантовые свойства электромагнитного эффекта в керамиках типа
Y$-$Ba$-$Cu$-$O (1 : 2 : 3)”, Письма в ЖТФ, 14:14 (1988), 1277–1280 |
|
1987 |
| 37. |
И. Л. Лихолит, В. Ф. Мастеров, Л. А. Байдаков, Л. Н. Блинов, “ЭПР фотоиндуцированных парамагнитных центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As$-$P$-$S и Ge$-$Tl$-$S”, Физика твердого тела, 29:3 (1987), 881–884 |
| 38. |
В. Ф. Мастеров, О. Д. Хохрякова, “Электрические свойства эпитаксиальных слоев фосфида индия,
легированного европием”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1727–1730 |
| 39. |
В. Ф. Мастеров, О. Д. Хохрякова, “Гальваномагнитные эффекты в эпитаксиальных слоях
InP$\langle$Yb$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 489–493 |
| 40. |
В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, “Электронный парамагнитный резонанс Er$^{3+}$ в фосфиде индия”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 365–366 |
| 41. |
Л. Ф. Захаренков, В. Ф. Мастеров, О. Д. Хохрякова, “О влиянии лантаноидов на электрические свойства объемных
монокристаллов InP”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 347–349 |
|
1986 |
| 42. |
В. Ф. Мастеров, Л. Ф. Захаренков, Ю. В. Мальцев, В. П. Савельев, “Оптические спектры высокого разрешения кристаллов фосфида индия,
легированного железом”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1524–1527 |
| 43. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и спин-решеточная релаксация ионизованного центра марганца
в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 543–545 |
|
1985 |
| 44. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, Б. Е. Саморуков, К. Ф. Штельмах, “Идентификация пары Mn$-$S
в арсениде галлия методом ЭПР”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2093–2095 |
| 45. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, К. Ф. Штельмах, “Состояния типа « спинового стекла» в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1867–1869 |
| 46. |
Л. Ф. Захаренков, С. И. Марков, В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, “ЭПР фосфида индия, легированного европием”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1841–1843 |
| 47. |
В. Ф. Мастеров, И. Л. Лихолит, Л. А. Байдаков, Л. Н. Блинов, “Фото-ЭПР в стеклообразных полупроводниках системы фосфор–сера”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1657–1659 |
| 48. |
Л. Ф. Захаренков, В. Ф. Мастеров, Б. Е. Саморуков, “Свойства фосфида индия, легированного кислородом и хромом”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1161–1162 |
| 49. |
В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра
Fe ($3d^{8}$) в GaP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 632–635 |
| 50. |
В. Ф. Мастеров, В. А. Харченко, “Туннельные эффекты в перезарядке глубоких центров в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 460–463 |
| 51. |
Л. А. Байдаков, Л. Н. Блинов, И. Л. Лихолит, В. Ф. Мастеров, “Фотоиндуцированный ЭПР в системе P$-$Se”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 312–314 |
|
1984 |
| 52. |
И. Л. Лихолит, В. М. Любин, В. Ф. Мастеров, В. А. Федоров, “Исследование фотоструктурных превращений в пленках As$_{2}$S$_{3}$ методом фотоиндуцированного парамагнитного резонанса”, Физика твердого тела, 26:1 (1984), 172–178 |
| 53. |
Л. К. Ермаков, В. Ф. Мастеров, Б. Е. Саморуков, “Электронная структура переходных элементов в фосфиде индия”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2092–2094 |
| 54. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, К. Ф. Штельмах, “ЭПР тригонального комплекса Mn$-$Se в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 755–757 |
| 55. |
В. Ф. Мастеров, “Глубокие центры в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 3–23 |
|
1983 |
| 56. |
В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, К. Ф. Штельмах, “Парамагнитный резонанс и релаксация трехвалентного иттербия в фосфиде индия”, Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1435–1438 |
| 57. |
М. Н. Барбашов, В. П. Маслов, В. Ф. Мастеров, “Электронная и ядерная магнитные релаксации в кристаллах фосфида индия, активированных марганцем”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1130–1134 |
| 58. |
И. Л. Лихолит, В. М. Любин, В. Ф. Мастеров, В. А. Федоров, “Собственные парамагнитные центры и фотоструктурные превращения в пленках As$_{2}$S$_{3}$”, Физика твердого тела, 25:1 (1983), 287–289 |
| 59. |
Л. Ф. Захаренков, Ю. В. Мальцев, В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, “Оптическое поглощение в кристаллах
InP$\langle\text{V}\rangle$, InP$\langle\text{Сr}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2203–2205 |
| 60. |
А. Г. Дмитриев, Л. Ф. Захаренков, В. А. Касаткин, В. Ф. Мастеров, Б. Е. Саморуков, “Электролюминесценция фосфида индия, легированного иттербием”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1879–1880 |
| 61. |
А. Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров, “Аналитическое решение проблемы глубокого центра методом непрерывных
дробей”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1823–1829 |
| 62. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, Б. Е. Саморуков, К. Ф. Штельмах, “Исследование дефектов структуры в системе
GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ методом ЭПР”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1259–1264 |
| 63. |
В. Ф. Мастеров, С. И. Марков, Л. П. Пасечник, В. К. Соболевский, “О природе линии ЭПР с ${g=2.133}$ в кристаллах
GaP$\langle\text{Fe}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1130–1132 |
| 64. |
В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, Б. Е. Саморуков, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и парамагнитная релаксация гадолиния в InP”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 948–950 |
|
|
|
1990 |
| 65. |
И. П. Ипатова, В. И. Кайданов, В. Ф. Мастеров, В. А. Рожанский, И. Н. Топтыгин, “Исправление опечатки”, УФН, 160:7 (1990), 169 |
| 66. |
И. П. Ипатова, В. И. Кайданов, В. Ф. Мастеров, В. А. Рожанский, И. Н. Топтыгин, “Чему учит книга “Мифы теории относительности”?”, УФН, 160:4 (1990), 97–101 ; I. P. Ipatova, V. I. Kaidanov, V. F. Masterov, V. A. Rozhanskii, I. N. Toptygin, “What we can learn from “The Myths of Relativity Theory””, Phys. Usp., 33:4 (1990), 310–312 |
1
|
|
Обратная связь: