Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Мартунас З

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 5
Научных статей: 5

Статистика просмотров:
Эта страница:36
Страницы публикаций:212
Полные тексты:117

https://www.mathnet.ru/rus/person161470
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1990
1. В. Денис, З. Мартунас, А. Шяткус, “Электропроводность $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  720–723  mathnet
1988
2. С. Дедулевич, Ж. Канцлерис, З. Мартунас, А. Шяткус, “Особенности электропроводности $p$-Ge в переменном слабогреющем электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  744–747  mathnet
1986
3. А. Кроткус, З. Мартунас, А. Шяткус, “Электропроводность теплых дырок в дислокационном теллуре”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  481–485  mathnet
1984
4. А. Гальдикас, В. Викторавичюс, И. Матулёнене, С. Мицкявичюс, З. Мартунас, А. Шяткус, И. С. Ковалева, “Электропроводность магнитного полупроводника HgCr$_{2}$Se$_{4}$ в сильном электрическом поле”, Физика твердого тела, 26:10 (1984),  2906–2909  mathnet  isi
5. Ш. З. Гинтилас, В. И. Денис, З. Мартунас, А. П. Шеткус, “Температурная зависимость времени междолинной релаксации в электронном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  324–326  mathnet

Организации
  • Институт физики полупроводников АН ЛитССР
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024