Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Романов Олег Васильевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 8
Научных статей: 8

Статистика просмотров:
Эта страница:68
Страницы публикаций:310
Полные тексты:164
доктор физико-математических наук (1985)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
E-mail:

Научная биография:

Электрофизический свойства поверхности германия в контакте с электролитами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00 / О. В. Романов. - Ленинград, 1965. - 235 с. : ил.

Романов, Олег Васильевич. Электронные свойства поверхности полупроводников и полуметаллов в контакте с электролитами : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1985. - 428 с. : ил.

   
Основные публикации:
  • Физика границ раздела и пограничных явлений : Учеб. пособие / О. В. Романов; Санкт-Петербург. гос. ун-т. - СПб. : СПбГУ, 1991. - 103,[1] с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person161468
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20109

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1986
1. В. В. Монахов, А. М. Яфясов, О. В. Романов, “Определение плотности состояний в разрешенных зонах антимонида индия и сульфида свинца”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  954–957  mathnet
2. В. В. Монахов, О. В. Романов, С. Н. Кириллов, В. Я. Урицкий, В. А. Смирнов, “Стадии формирования границы раздела кремния с термическим окислом”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  477–480  mathnet
1984
3. О. В. Романов, В. Б. Божевольнов, “Комплексный эффект поля на поверхности твердых растворов группы GaP$_{x}$As$_{1-x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1408–1412  mathnet
4. О. В. Романов, В. Б. Божевольнов, Ю. Н. Мясоедов, “Эффект поля на поверхности полуметалла HgTe и полупроводника Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1064–1068  mathnet
5. В. Я. Урицкий, О. В. Романов, А. М. Яфясов, “Характеристики межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$ и поверхностная подвижность дырок в инверсионном слое”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  393–397  mathnet
1983
6. М. В. Капитонов, О. В. Романов, А. М. Яфясов, “Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов на полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  818–823  mathnet
7. О. В. Романов, “Граница раздела сверхтонкий собственный окисел–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  398–401  mathnet
8. С. Г. Сазонов, О. В. Романов, “МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области инверсионных напряжений”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1247–1250  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024