|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер, “Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых
транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1574–1579  |
| 2. |
А. А. Кальфа, В. В. Чикун, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо
легированного полупроводника в области пространственного заряда”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1024–1027 |
| 3. |
А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, А. С. Тагер, “Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных
резонансно-туннельных диодов”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 896–899 |
|
1991 |
| 4. |
В. С. Ершов, 3. А. Зайцевская, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, С. В. Матыцын, А. Б. Пашковский, Ю. Ю. Федоров, “Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики
гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 776–782 |
|
1990 |
| 5. |
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский, “Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах
на гетероструктурах с селективным легированием”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1187–1189 |
| 6. |
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский, “Пространственный перенос двумерных электронов в структуре
металл$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с селективным легированием”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 521–526 |
| 7. |
Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, “Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной
гетероструктурой”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990), 76–78  |
|
1988 |
| 8. |
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский, “Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной
потенциальной яме”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2090–2092 |
|
1987 |
| 9. |
А. А. Кальфа, А. С. Тагер, “Горячие электроны в гетероструктурах с селективным
легированием (обзор)”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1353–1363 |
|
1986 |
| 10. |
В. Б. Горфинкель, А. А. Кальфа, Т. И. Солодкая, А. С. Тагер, С. Г. Шофман, “Перенос электронов в гетероструктурах с селективным легированием
в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 881–885 |
| 11. |
А. А. Кальфа, “Двумерный электронный газ в структуре
металл–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs с селективным легированием”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 468–471 |
|
1985 |
| 12. |
А. В. Гарматин, А. А. Кальфа, “Отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур
с селективным легированием на основе
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As$-$InP”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2228–2231 |
| 13. |
А. В. Гарматин, А. А. Кальфа, “Особенности переноса электронов в гетероструктурах с селективным
легированием”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1147–1150 |
| 14. |
А. А. Кальфа, “Характеристики гетероперехода в гетероструктуре с селективным
легированием”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1025–1029 |
|
1984 |
| 15. |
П. С. Белоусов, А. А. Кальфа, Ю. Ю. Федоров, “Вольтамперная характеристика барьера Шоттки с гетеропереходом
в области пространственного заряда”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1901–1904 |
|
1983 |
| 16. |
А. А. Кальфа, “Аналитическая теория статического домена
у затвора полевого транзистора”, ЖТФ, 53:3 (1983), 592–594 |
| 17. |
А. А. Кальфа, “Физические принципы работы коротких диодов Ганна с двухзонным
катодом”, ЖТФ, 53:1 (1983), 203–206 |
| 18. |
А. А. Кальфа, “Динамическая отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур
с селективным легированием”, Письма в ЖТФ, 9:8 (1983), 460–464 |
|
Обратная связь: