|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
| 1. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, Г. И. Цвилев, “Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного
арсенида галлия”, ЖТФ, 57:4 (1987), 771–777   |
|
1986 |
| 2. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Ефанов, Ю. М. Задиранов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной
$Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1281–1285 |
|
1985 |
| 3. |
В. И. Корольков, В. Н. Красавин, С. И. Пономарев, Г. И. Цвилев, “Использование электрооптического эффекта для изучения области
пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 328–331 |
|
1984 |
| 4. |
В. И. Корольков, Р. С. Осипова, С. И. Пономарев, М. Н. Степанова, Г. И. Цвилев, “Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных
$p{-}n$-структур
на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2029–2035 |
|
1983 |
| 5. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 652–655 |
|
Обратная связь: