|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, А. М. Койнова, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, “Высокоэффективные информационно-энергетические
AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 435–439  |
|
1985 |
| 2. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569  |
| 3. |
В. М. Андреев, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, О. В. Сулима, О. К. Салиева, “Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа
AlGaAs гетерофотоэлементов”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1124–1129 |
| 4. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, М. З. Жингарев, Л. Е. Клячкин, В. В. Мамутин, Н. М. Сараджишвили, В. И. Скопина, О. В. Сулима, Н. М. Шмидт, “Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP
и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 668–673 |
|
1984 |
| 5. |
В. М. Андреев, Н. М. Сараджишвили, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов, “Тонкопленочные AlGaAs гетерофотоэлементы с удаленной GaAs подложкой”, ЖТФ, 54:6 (1984), 1215–1218 |
| 6. |
В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, “К вопросу об эффективности фотоэлектрического преобразования коротких
импульсов излучения”, ЖТФ, 54:5 (1984), 979–982 |
| 7. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе
$N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1294–1297 |
|
1983 |
| 8. |
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, О. В. Сулима, “Фотоэлектролюминесценция
в AlGaAs-гетероструктуpax”, Письма в ЖТФ, 9:17 (1983), 1058–1061 |
|
Обратная связь: