|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Н. Н. Герасименко, Г. Л. Курышев, А. М. Мясников, В. И. Ободников, Л. Н. Сафронов, Г. С. Хрящев, “Электрофизические свойства планарных $n^{+}{-}p$-переходов, созданных
легированием арсенида индия ионами серы”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1245–1250  |
|
1989 |
| 2. |
Г. Л. Курышев, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, А. П. Соловьев, В. А. Терехов, Г. Г. Эльдаров, “Энергетический спектр локализованных состояний аморфных слоев
SiN$_{x}$”, Письма в ЖТФ, 15:1 (1989), 84–86  |
|
1987 |
| 3. |
А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, И. М. Субботин, Ж. И. Хорват, “Резонансное туннелирование электронов в барьере Шоттки на арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 1944–1948 |
|
1986 |
| 4. |
В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин, “Релаксация неравновесного поверхностного потенциала МДП структур
в режиме постоянного заряда”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1042–1048 |
| 5. |
В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, “Зарядовые эффекты в МДП структурах на антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 413–415 |
|
1985 |
| 6. |
А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, С. А. Бирюков, “Туннельная спектроскопия фононов в арсениде индия”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2187–2188 |
|
1983 |
| 7. |
Б. Г. Вайнер, В. В. Костин, Г. Л. Курышев, “Увеличение фотоответа в структурах
металл–диэлектрик–полупроводник
(МДП) после приложения сильного электрического поля”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1885–1886 |
|
Обратная связь: