|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин, “Релаксация неравновесного поверхностного потенциала МДП структур
в режиме постоянного заряда”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1042–1048  |
| 2. |
В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, “Зарядовые эффекты в МДП структурах на антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 413–415 |
|
1984 |
| 3. |
Ю. А. Александров, Ю. Ю. Барышников, В. А. Гуртов, И. Л. Захаров, О. Н. Ивашенков, “Окислы, осажденные из металлоорганических соединений
для МДП структур
на полупроводниках группы A$^{3}$B$^{5}$”, ЖТФ, 54:5 (1984), 965–966  |
|
1983 |
| 4. |
С. Г. Асатрян, В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. А. Курбатов, “Электрофизические свойства термического окисла тантала в МДП
структурах”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1791–1794 |
|
Обратная связь: