|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, В. В. Чалдышев, В. А. Чумак, Ю. В. Шмарцев, “Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе
жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1737–1741  |
|
1991 |
| 2. |
Н. Н. Сырбу, А. П. Снигур, В. А. Чумак, С. Б. Хачатурова, “Плазмон-фононные моды и непараболичность зоны проводимости
в эпитаксиальных слоя InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1146–1156 |
|
1989 |
| 3. |
С. И. Радауцан, Г. Л. Ляху, А. П. Снигур, В. А. Чумак, В. Г. Лапин, A. M. Маринова, К. Г. Ноздрина, “Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах
InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 30–34  |
|
1987 |
| 4. |
В. М. Андреев, Т. С. Бурба, В. В. Дороган, В. Г. Трофим, В. А. Чумак, “Высокоэффективные тонкопленочные солнечные элементы (ТСЭ)
для преобразования концентрированного излучения”, ЖТФ, 57:9 (1987), 1805–1810 |
|
1986 |
| 5. |
В. М. Андреев, Т. С. Бурба, В. В. Дороган, В. Г. Трофим, В. А. Чумак, “Тонкопленочные $Al\,Ga\,As-Ga\,As$ солнечные фотоэлементы для преобразования концентрированного солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 12:19 (1986), 1197–1202 |
|
1985 |
| 6. |
В. В. Дороган, В. В. Негрескул, В. Г. Трофим, В. А. Чумак, “Излучательные свойства эпитаксиальных слоев $Ga\,As$, отделенных от подложки”, Письма в ЖТФ, 11:9 (1985), 550–553 |
|
1984 |
| 7. |
В. И. Брынзарь, В. В. Дороган, М. Б. Иванов, В. Г. Трофим, В. А. Чумак, Л. И. Чебан, “Тонкопленочные солнечные элементы (ТСЭ)
на гетеропереходах (Al, Ga)As”, Письма в ЖТФ, 10:8 (1984), 455–459 |
|
Обратная связь: