|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Г. М. Шмелев, Э. М. Эпштейн, “Спонтанное возникновение поперечной эдс в проводнике с неаддитивным непараболическим законом дисперсии”, Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2565–2571   |
|
1991 |
| 2. |
Г. М. Шмелев, С. В. Крючков, Г. И. Цуркан, “О фотопроводимости сверхрешеток”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 830–833 |
| 3. |
Э. М. Эпштейн, Г. М. Шмелев, А. Т. Железняк, “Поле неидеального $\delta$-легированного слоя в условиях пробоя
экранирования”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1098–1099 |
| 4. |
А. Т. Железняк, Г. М. Шмелев, “Фотостимулированное нечетное магнитосопротивление полупроводника
при рассеянии электронов заряженными примесями”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 171–173 |
|
1990 |
| 5. |
Г. М. Шмелев, И. С. Чебан, В. Д. Фуркулица, “Прыжковый акустогальванический эффект”, Физика твердого тела, 32:3 (1990), 933–934 |
|
1989 |
| 6. |
Г. М. Шмелев, И. А. Чайковский, С. И. Менса, “Термоэлектрические свойства сверхрешеток по внешних полях”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 712–715 |
| 7. |
А. Т. Железняк, Г. М. Шмелев, “О фотостимулированном продольном магнитосопротивлении
полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 376–378 |
|
1986 |
| 8. |
Г. М. Шмелев, Нгуен Хунг Шон, Р. Шредер, “Токовый механизм возникновения анизотропной фотопроводимости
в полупроводниках $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 370–372 |
|
1985 |
| 9. |
Нгуен Хонг Шон, Г. М. Шмелев, Э. М. Эпштейн, “Фотостимулированный нечетный эффект Фойхта при межзонной подсветке”, Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1535–1537 |
| 10. |
Нгуен ХонгШон, Г. М. Шмелев, “О фотостимулированном магнитосопротивлении полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 58–61 |
|
1984 |
| 11. |
Г. М. Шмелев, Нгуен Хонг Шон, Г. И. Цуркан, “Акустогальванический эффект в сегнетоэлектриках”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3499–3502 |
| 12. |
Нгуен Хонг Шон, Г. М. Шмелев, “Магнитные осцилляции фотогальванического тока в полупроводниках типа $p$-GaAs”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1863–1866 |
| 13. |
Г. М. Шмелев, И. И. Жеру, Нгуен Хонг Шон, Г. И. Цуркан, “Влияние оптического выстраивания импульсов на гальваномагнитные эффекты в слоистых полупроводниках”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1609–1614 |
| 14. |
Г. М. Шмелев, Нгуен Хонг Шон, Г. И. Цуркан, “Четный акустоэлектрический эффект в коротковолновой области
в кристаллах без центра инверсии”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1314–1316 |
| 15. |
Г. М. Шмелев, Нгуен Хонг Шон, Г. И. Цуркан, “Межзонные фотоакустоэлектронные эффекты в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 877–882 |
|
1983 |
| 16. |
М. И. Караман, В. П. Мушинский, Г. М. Шмелев, “Обнаружение поперечной фотоэдс, зависящей от поляризации
возбуждающего света”, ЖТФ, 53:6 (1983), 1198–1200 |
|
Обратная связь: