|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
О. В. Вакуленко, В. Н. Супруненко, В. Д. Рыжиков, “Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции
в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1053–1057  |
|
1988 |
| 2. |
О. В. Вакуленко, В. С. Лысый, “Проявление в спектре ЭПР двух кристаллографически неэквивалентных положений примеси азота с кубическим окружением в 6$H$ карбиде кремния”, Физика твердого тела, 30:8 (1988), 2514–2515  |
| 3. |
О. В. Вакуленко, А. Н. Веретенников, В. Д. Рыжиков, В. В. Чепелев, “Особенности кинетики рентгенолюминесценции
ZnSe : Те
при высоких уровнях возбуждения”, ЖТФ, 58:3 (1988), 632–635 |
|
1986 |
| 4. |
О. В. Вакуленко, Б. М. Шутов, “О поглощении, связанном с дивакансиями в SiC-6$H$”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 368–369 |
|
1984 |
| 5. |
О. В. Вакуленко, В. А. Скрышевский, “О внутреннем квантовом выходе примесной фотопроводимости
в полуизолирующем арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 172–174 |
|
1983 |
| 6. |
О. В. Вакуленко, В. А. Скрышевский, В. В. Тесленко, “Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1446–1449 |
| 7. |
О. В. Вакуленко, А. С. Драненко, Н. Н. Новиков, “Инжекционные токи в трикристалле арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1185–1188 |
| 8. |
О. В. Вакуленко, А. И. Миколенко, Н. Н. Новиков, В. А. Скрышевский, “Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными
границами зерен”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 881–884 |
|
Обратная связь: