|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
Г. П. Гайдар, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс
увлечения в $n$-германии”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1137–1139  |
| 2. |
П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Термоэлектрические характеристики упруго-деформированного
$n$-германия в области электрон-фононного увлечения”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 356–357 |
|
1985 |
| 3. |
П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Влияние условий термообработки на пьезотермоэдс увлечения
в трансмутационно-легированных и обычных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1712–1715 |
| 4. |
П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Отрицательное пьезосопротивление в трансмутационно-легированных
кристаллах $n$-Si при одноосной упругой деформации”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 947–949 |
|
1984 |
| 5. |
П. И. Баранский, Е. Н. Видалко, В. В. Савяк, “« Внутризонная» анизотропия рассеяния носителей тока
в пластически деформированном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2224–2227 |
| 6. |
П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Температурная зависимость анизотропии термоэдс увлечения в одноосно
деформированном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1059–1063 |
| 7. |
П. И. Баранский, Е. Н. Видалко, В. В. Савяк, “Определение параметра анизотропии термоэдс увлечения
при деформации $n$-Si в направлении [110]”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 538–540 |
|
1983 |
| 8. |
П. И. Баранский, В. М. Бабич, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Сравнение экспериментальных и теоретических данных
по анизотропии
рассеяния носителей тока в монокристаллах $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1118–1120 |
|
Обратная связь: