|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, “Особенности отжига компенсирующих радиационных дефектов
в бездислокационном $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1142–1145  |
|
1991 |
| 2. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, “Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов
при облучении бездислокационного $n$-кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 110–113 |
|
1990 |
| 3. |
Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, А. В. Цикунов, “Влияние деформационных напряжений границы раздела
Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 517–520 |
|
1989 |
| 4. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 748–751 |
| 5. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах
в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 722–725 |
|
1988 |
| 6. |
Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, “Формирование областей скопления радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 499–502 |
|
1986 |
| 7. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, В. В. Шуша, “Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 767–770 |
| 8. |
Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, “Энергия активации термической ионизации радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 345–347 |
|
1984 |
| 9. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Радиационное изменение времени жизни носителей заряда
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 543–545 |
|
1983 |
| 10. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, “Взаимодействие точечных и групповых радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1517–1519 |
|
Обратная связь: