|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
1. |
А. Ш. Мехтиев, М. И. Николаев, Ф. Э. Фараджев, Э. А. Акопян, Г. А. Галандаров, Т. И. Алиев, “Изопериодическая гетероструктура
$p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te${-}n$-PbSe$_{0.08}$Te$_{0.92}$,
полученная методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1388–1391 |
2. |
А. Ш. Мехтиев, Э. А. Акопян, Г. А. Галандаров, Ф. Э. Фараджев, “Исследование ВАХ изопериодических гетеропереходов
$p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te${-}n$-PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 335–337 |
|
1984 |
3. |
Э. А. Акопян, А. Ш. Мехтиев, А. Л. Пойманов, “Влияние освещения на ЭДС в $p{-}n$-переходе, инициированную слабым
боковым электрическим полем”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 380–382 |
4. |
Г. А. Галандаров, Ф. Э. Фараджев, Э. А. Акопян, А. А. Юсифов, М. И. Николаев, О. Н. Шнигель, “Гетерофотодиоды
$p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te${-}n$-PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$
с согласованными параметрами решеток”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 185–186 |
|