|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
1. |
А. Л. Мусатов, С. В. Гейзер, А. Д. Коринфский, “Поверхностные состояния фосфида индия, определяющие формирование
барьера Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2056–2059 |
|
1986 |
2. |
А. Д. Коринфский, А. Л. Мусатов, “Приповерхностный изгиб зон в GaAs с отрицательным электронным
сродством”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 330–332 |
|