|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Н. А. Прима, “Упругое рассеяние в многодолинных полупроводниках и его роль
в релаксации энергии неравновесных электронов”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 530–534  |
|
1990 |
| 2. |
А. И. Климовская, Н. А. Прима, “Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров
на поверхности монополярного полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2094–2101 |
|
1988 |
| 3. |
Е. В. Моздор, Н. А. Прима, “Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении
многодолинных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1291–1296 |
| 4. |
Н. А. Прима, А. В. Саченко, “Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная
проводимость тонких образцов”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 522–524 |
|
1987 |
| 5. |
Н. А. Прима, Е. В. Моздор, “Неупругое междолинное рассеяние в полупроводниках и характерные
времена релаксации: частотная дисперсия проводимости при слабом разогреве”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 110–117 |
|
1986 |
| 6. |
Н. А. Прима, “Неупругое междолинное рассеяние в полупроводниках и характерные
времена релаксации: размерный эффект в проводимости тонких пластин”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 314–321 |
|
1985 |
| 7. |
Б. Ш. Беридзе, А. И. Климовская, Н. А. Прима, О. В. Снитко, “Слабополевое размерное магнитосопротивление в пластинах электронного
кремния, ориентированных в плоскости (100)”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 987–992 |
|
1984 |
| 8. |
З. С. Грибников, Н. А. Прима, “Дрейфовая междолинная биполярная неустойчивость в несобственном полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 508–512 |
|
1983 |
| 9. |
Ф. Т. Васько, Н. А. Прима, “Спиновое расщепление спектра двумерных электронов в паралелльном слою магнитном поле”, Физика твердого тела, 25:2 (1983), 582–584  |
| 10. |
Н. А. Захленюк, Н. А. Прима, “Анизотропное перераспределение вырожденных электронов между долинами
в тонких пластинах”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1635–1641 |
|
Обратная связь: