|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
В. Е. Кустов, А. Б. Ройцин, Н. А. Трипачко, В. И. Шаховцов, “Центры дилатации в облученном электронами кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1928–1931  |
|
1991 |
| 2. |
В. Б. Неймаш, Т. Р. Саган, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. С. Штым, “Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1864–1869 |
| 3. |
В. Б. Неймаш, Т. Р. Саган, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “О некоторых механизмах влияния тепловой предыстории на поведение
параметров кремния под облучением”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1857–1863 |
|
1990 |
| 4. |
В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Электронные свойства бистабильных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1795–1799 |
| 5. |
Т. В. Критская, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. И. Яшник, “Особенности спектров ИК поглощения термодоноров
в кристаллах Si : Ge”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1129–1132 |
| 6. |
А. В. Маринченко, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. И. Яшник, “Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1126–1129 |
| 7. |
Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Ф. М. Воробкало, “Структура ИК поглощения кислорода в германии”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1051–1055 |
| 8. |
Ю. В. Помозов, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. И. Яшник, “Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 993–996 |
| 9. |
В. В. Емцев, Ю. Н. Далуда, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. Б. Неймаш, Р. С. Антоненко, К. Шмальц, “Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии
при «горячем» $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 374–376 |
|
1989 |
| 10. |
В. И. Шаховцов, И. И. Ясковец, “Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах
кислорода в Si”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 914–916 |
| 11. |
А. М. Грехов, В. Е. Кустов, Н. А. Трипачко, В. И. Шаховцов, “Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 746–748 |
| 12. |
Л. В. Мизрухин, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, В. И. Яшник, “Упругие напряжения в Si с электрически пассивными примесями”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 704–706 |
| 13. |
В. Б. Неймаш, В. М. Сирацкий, М. Г. Соснин, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 250–252 |
| 14. |
В. И. Шаховцов, С. И. Шаховцова, М. М. Шварц, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Подвижность носителей тока в твердых растворах
Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 48–51 |
|
1988 |
| 15. |
А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, Н. И. Осташко, В. И. Шаховцов, “Время жизни первичных радиационных дефектов в кремнии”, ЖТФ, 58:6 (1988), 1180–1181  |
| 16. |
В. Е. Кустов, Н. А. Трипачко, С. А. Чесноков, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2220–2223 |
| 17. |
Ю. М. Добровинский, М. Г. Соснин, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Влияние примеси олова на накопление радиационных дефектов в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1149–1151 |
| 18. |
В. Е. Кустов, Т. В. Критская, Н. А. Трипачко, В. И. Шаховцов, “Влияние германия на внутренние упругие напряжения
в кислородосодержащем кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 313–315 |
| 19. |
А. М. Грехов, В. И. Шаховцов, “Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных
примесей в кремнии.
Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge
в Si”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 285–288 |
| 20. |
А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, Н. И. Осташко, В. И. Шаховцов, “Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в $n$-Si
при облучении одиночными импульсами электронов
большой интенсивности”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 215–218 |
| 21. |
В. Б. Неймаш, М. Г. Соснин, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, И. И. Ясковец, “Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 206–209 |
| 22. |
А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, И. С. Рогуцкий, В. И. Шаховцов, “Отжиг метастабильных пар Френкеля в $n$-Ge, облученном электронами
с энергией 0.6 МэВ и 1.2 МэВ”, Письма в ЖТФ, 14:24 (1988), 2299–2302 |
|
1987 |
| 23. |
А. А. Бугай, И. Н. Кравцова, В. М. Максименко, Б. Д. Шанина, В. И. Шаховцов, “Влияние германия на свойства Si${-}S1$-центра в твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$”, Физика твердого тела, 29:7 (1987), 2217–2220 |
| 24. |
Ф. А. Заитов, Ю. М. Добровинский, В. Б. Неймаш, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2082–2084 |
| 25. |
А. М. Грехов, В. М. Гунько, В. И. Шаховцов, “Исследование электронной структуры изоэлектронных примесей
в кремнии. Атомы С, Ge и их комплексы с вакансиями”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1837–1841 |
| 26. |
И. Г. Атабаев, М. С. Саидов, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, А. Юсупов, “О механизме дефектообразования в сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 570–573 |
| 27. |
Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах
Si$\langle$Ge$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 562–565 |
|
1986 |
| 28. |
Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, “Исследование колебательных спектров поглощения кислорода в твердых
растворах Si$\langle$Ge$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2222–2225 |
| 29. |
Г. П. Гайдар, А. А. Гирий, В. Н. Ермаков, В. И. Шаховцов, “Влияние термоотжига и $\gamma$-облучения на изменение удельного
сопротивления $n$-германия в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2109–2111 |
| 30. |
А. А. Бугай, В. А. Гирий, В. М. Максименко, Ю. В. Помозов, В. И. Шаховцов, “Влияние закалки на свойства мелких доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1884–1886 |
| 31. |
Л. В. Мизрухин, М. Г. Мильвидский, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Н. И. Горбачева, “Уширение полос поглощения водородоподобных центров в кремнии
с изовалентными примесями”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1647–1653 |
| 32. |
Г. П. Гайдар, В. А. Гирий, В. Н. Ермаков, В. И. Шаховцов, “Определение сдвиговой константы деформационного потенциала $\Theta_{u}$
в трансмутационно-легированных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1107–1109 |
| 33. |
В. Е. Кустов, М. Г. Мильвидский, Ю. Г. Семенов, Б. М. Туровский, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Деформационные заряды изовалентных примесей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 270–274 |
|
1985 |
| 34. |
А. А. Бугай, В. Е. Кустов, Ю. Г. Семенов, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “ЭПР тензозондов в кремнии, легированном гадолинием”, Физика твердого тела, 27:6 (1985), 1824–1829 |
| 35. |
В. И. Шаховцов, И. М. Викулин, М. А. Глауберман, Н. А. Канищева, В. В. Козел, В. А. Прохоров, “К вопросу о радиационной стойкости кремниевых магниточувствительных
транзисторов”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1247–1248 |
| 36. |
А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, Н. И. Осташко, В. И. Шаховцов, “Эффективность образования дефектов в $n$-Si при облучении электронами
с энергией 1 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2202–2204 |
|
1984 |
| 37. |
А. А. Бугай, В. М. Максименко, Е. И. Неймарк, Б. Д. Шанина, В. Г. Грачев, В. И. Шаховцов, “Изучение локальных искажений ячеечного потенциала доноров в сплаве Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ методами ЭПР и спин-решеточной релаксации”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3338–3346 |
| 38. |
А. А. Бугай, В. М. Максименко, Б. М. Туровский, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Н. И. Горбачева, “Исследование радиационных дефектов в сплаве Si$-$Ge методом ЭПР и ИК
спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2020–2023 |
|
1983 |
| 39. |
Ф. А. Заитов, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. С. Штым, М. И. Шубак, “Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1490–1492 |
| 40. |
О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова, В. Г. Литовченко, Н. Н. Солдатенко, Ю. А. Тхорик, М. Ю. Филатов, В. И. Шаховцов, “Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов
в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1349–1351 |
| 41. |
А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, В. И. Шаховцов, “Распределение пар Френкеля по расстояниям в облученных кремнии
и германии”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 437–440 |
|
|
|
1986 |
| 42. |
Д. Ф. Байса, В. Г. Барьяхтар, М. С. Бродин, Г. В. Климушева, М. В. Курик, Б. Г. Лазарев, М. С. Соскин, В. И. Шаховцов, М. Т. Шпак, “Антонина Федоровна Прихотько (К восьмидесятилетию со дня рождения)”, УФН, 149:4 (1986), 733–734 ; D. F. Baisa, V. G. Bar'yakhtar, M. S. Brodin, G. V. Klimusheva, M. V. Kurik, B. G. Lazarev, M. S. Soskin, V. I. Shakhovtsov, M. T. Shpak, “Antonina Fedorovna Prikhot'ko (On her eightieth birthday)”, Phys. Usp., 29:8 (1986), 803–804 |
|
Обратная связь: