|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Кинетика и спектр фотопроводимости гетероструктур
PbTe/Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, выращенных на подложках BaF$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2031–2039  |
|
1991 |
| 2. |
М. В. Валейко, К. И. Гейман, И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, “Деформационные потенциалы PbTe”, Физика твердого тела, 33:4 (1991), 1086–1093 |
|
1990 |
| 3. |
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, З. А. Рухадзе, А. В. Ширков, “Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе
PbSe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Se, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1437–1443 |
|
1989 |
| 4. |
И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных
слоях Pb$_{1-x}$Sn$_{x}\text{Te}\langle\text{In}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2019–2026 |
|
1988 |
| 5. |
И. И. Засавицкий, Л. Ковальчик, Б. Н. Мацонашвили, А. В. Сазонов, “Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа
A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2118–2123 |
|
1987 |
| 6. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Бесфоновый спектр поглощения
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ и зависимость фотопроводимости
эпитаксиальных слоев от толщины”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1789–1795 |
| 7. |
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, Д. А. Саксеев, “Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев
и структур на основе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 57–62 |
|
1986 |
| 8. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te : In”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 214–220 |
|
1985 |
| 9. |
И. И. Засавицкий, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора
PbS$_{1-x}$Se$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2149–2153 |
| 10. |
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, В. Л. Кузнецов, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора
PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$)”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 627–631 |
|
1983 |
| 11. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Кинетика фотопроводимости в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te : In”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2184–2189 |
|
Обратная связь: