|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Сумарока, “Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела
полупроводник$-$диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое
обеднения”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2048–2056  |
| 2. |
А. Г. Ждан, А. М. Козлов, Т. А. Костинская, В. Ф. Кочеров, В. В. Рыльков, “Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных
слоистых структур на основе сильно легированного Si$\langle\text{As}\rangle$
с блокированной проводимостью по примесной зоне”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2024–2030 |
| 3. |
А. С. Веденеев, А. Г. Гайворонский, А. Г. Ждан, “Определение электронных характеристик границ раздела
полупроводник$-$диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности
и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2017–2023 |
| 4. |
А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, В. В. Рыльков, А. Г. Шафран, “Определение сечения фотоионизации легирующих примесей
в полупроводниках из измерений эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1096–1099 |
| 5. |
Г. А. Ахмедов, A. С. Веденеев, В. А. Горбылев, А. Г. Ждан, И. Д. Залевский, Ш. С. Xалилов, А. А. Челный, “Электронные характеристики модуляционно-легированных гетеропереходных
структур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 62–65  |
|
1990 |
| 6. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Сумарока, “Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии
локализованных электронных состояний с непрерывным спектром”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 503–506 |
| 7. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Клочкова, Ю. В. Маркин, “Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных
состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 159–165 |
|
1989 |
| 8. |
М. А. Байрамов, А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, “Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного
рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si${-}n$-канала”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2122–2128 |
| 9. |
М. А. Байрамов, А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, Б. С. Щамхалова, “Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных
$n$-каналах Si$-$МОП структур”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1618–1624 |
|
1988 |
| 10. |
М. А. Байрамов, А. С. Веденеев, Л. В. Волков, А. Г. Ждан, “Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках
$n$-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1365–1369 |
| 11. |
А. С. Веденеев, Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. В. Савостьянов, “Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров
локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1199–1202 |
| 12. |
А. Г. Ждан, А. П. Мельников, В. В. Рыльков, “Межпримесная рекомбинация дырок через $A^{+}$-состояния в слабо
компенсированном $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1011–1015 |
| 13. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Идентификация пространственной локализации пограничных состояний
в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 758–760 |
| 14. |
А. С. Веденеев, Г. И. Воронкова, А. Г. Ждан, Ш. М. Коган, Т. М. Лифшиц, В. В. Рыльков, “Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо
компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 586–592 |
| 15. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, Ю. В. Маркин, “Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик
при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 237–242 |
| 16. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний
и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 223–228 |
|
1987 |
| 17. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, “Релаксация заполнения объемных уровней в полупроводнике,
стимулированная электрическим полем приповерхностного слоя обеднения”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1924–1927 |
| 18. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, Ю. В. Маркин, “Релаксационная спектроскопия пограничных состояний в МДП структурах
с учетом туннельных переходов носителей заряда в свободную зону”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 461–465 |
| 19. |
А. Г. Ждан, Т. М. Лифшиц, В. В. Рыльков, “Проявления $A^{+}$-центров и $A^{+}_{2}$-комплексов в кинетике
релаксации примесной фотопроводимости дырочного кремния”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 217–221 |
|
1986 |
| 20. |
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, А. И. Минченко, П. С. Сульженко, “Определение параметров пограничных состояний методом
термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме постоянной емкости”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 208–213 |
|
1985 |
| 21. |
А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “К определению холловской концентрации и подвижности в слоях инверсии
на поверхности полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1003–1007 |
| 22. |
А. Г. Ждан, П. С. Сульженко, “Квазианомалии плотности поверхностных состояний у краев разрешенных
зон полупроводника, граничащего с диэлектриком”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 138–140 |
|
1984 |
| 23. |
Н. Е. Никитин, В. В. Мухин, А. Г. Ждан, “Особенности эффекта де Гааза-ван Альфена в пространственно-неоднородных образцах”, Физика твердого тела, 26:1 (1984), 276–277 |
|
1983 |
| 24. |
А. Г. Ждан, А. Ф. Кабыченков, “Тонкая структура зависимости электропроводности поверхностных каналов
на $n$-Si от поперечного поля и особенности их перехода к режиму
инверсии”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1686–1688 |
| 25. |
В. Г. Приходько, А. Г. Ждан, “Особенность в изменении плотности локализованного заряда
при смещении уровня Ферми
на границе раздела двух однотипных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 690–693 |
| 26. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, Ю. В. Маркин, П. С. Сульженко, “Электропроводность полупроводников с межгранульными границами
и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 390–393 |
|
Обратная связь: