|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, М. М. Кипнис, “Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью
по обогащенному слою”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 708–712  |
|
1988 |
| 2. |
Б. И. Сысоев, Е. В. Руднев, В. Ф. Антюшин, “Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре
с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1871–1873 |
| 3. |
В. Ф. Антюшин, Б. И. Сысоев, “Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое
резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 902–905 |
|
1987 |
| 4. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, Е. В. Руднев, В. Д. Стрыгин, “Оценка поверхностной подвижности электронов в гетероструктуре арсенид
галлия–полупроводник со стехиометрическими вакансиями”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1310–1312 |
|
1986 |
| 5. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин, В. Н. Моргунов, “Изолирующее покрытие для арсенида галлия”, ЖТФ, 56:5 (1986), 913–915  |
|
1984 |
| 6. |
В. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин, “Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых
структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1739–1743 |
|
Обратная связь: