Научная биография: |
Окончил Ташкентский ГУ.
Аспирант в ЛФТИ им. А.Ф, Иоффе АН СССР (1983-86).
Науч. сотр. каф. физики полупроводников и диэлектриков Ташкентского ГУ (1987-1997).
С сентября 2015 года он работал деканом физического факультета НУУз.
Далиев, Хожакбар Султанович (1958-).
Исследование физических явлений в кремниевых МДП-структурах с помощью ёмкостной спектроскопии : автореферат дис. … кандидата физико-математических наук : 01.04.10; науч. рук. - А. А. Лебедев ; АН СССР, Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1987. - 17 с. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
| 1. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Влияние термообработки на плотность радиационных дефектов
в диэлектрике и на поверхности полупроводника
кремниевых МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 836–841  |
| 2. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур,
облученных $\gamma$-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 23–29 |
|
1986 |
| 3. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Д. Э. Назиров, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 185–186 |
|
1985 |
| 4. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства
$n$-Si$\langle$Mn$\rangle$
с помощью DLTS”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1617–1619 |
| 5. |
К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Взаимодействие кислорода с марганцем в
$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1158–1159 |
| 6. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных
слоях Si$-$SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1156–1158 |
| 7. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Параметры глубоких уровней в Si$\langle$V$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 338–340 |
|
1984 |
| 8. |
С. З. Зайнабидинов, С. И. Власов, Е. Г. Заугольникова, И. Н. Каримов, Х. С. Далиев, “Влияние $\gamma$-облучения на свойства МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 727–729 |
|
Обратная связь: