|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Д. И. Аладашвили, З. А. Адамия, К. Г. Лавдовский, Е. И. Левин, Б. И. Шкловский, “Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных
полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 234–249  |
|
1989 |
| 2. |
Д. И. Аладашвили, З. А. Адамия, К. Г. Лавдовский, Е. И. Левин, Б. И. Шкловский, “Эффект Френкеля$-$Пула в области прыжковой проводимости в слабо
компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 213–220 |
|
1987 |
| 3. |
Д. И. Аладашвили, З. А. Адамия, К. Г. Лавдовский, “Неомическая прыжковая проводимость анизотропно деформированных
кристаллов $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1512–1515 |
| 4. |
Н. С. Аверкиев, З. А. Адамия, Д. И. Аладашвили, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние
ян-теллеровского центра Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 421–426 |
|
1986 |
| 5. |
Д. И. Аладашвили, З. А. Адамия, К. Г. Лавдовский, З. М. Цандекова, “Неомическая прыжковая проводимость в $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2225–2228 |
| 6. |
Д. И. Аладашвили, З. А. Адамия, К. Г. Лавдовский, “Прыжковая проводимость в $p$-InSb при всестороннем сжатии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 176–178 |
|
Обратная связь: