|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 22–44  |
|
1990 |
| 2. |
В. В. Михнович, Т. В. Фирсова, “Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых
диодных структурах”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 181–184 |
|
1989 |
| 3. |
В. В. Михнович, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Н. А. Витовский, “Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 306–308  |
| 4. |
В. А. Артемьев, Н. А. Витовский, В. В. Михнович, “Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей
заряда в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1395–1399 |
| 5. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, Д. С. Полоскин, “Эффективность образования точечных дефектов
в $n$- и $p$-Ge в условиях
облучения при 77 и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 425–428 |
| 6. |
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на
энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 184–185 |
|
1988 |
| 7. |
А. В. Васильев, В. В. Михнович, С. А. Смагулова, “Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1137–1139 |
| 8. |
В. А. Артемьев, В. В. Михнович, С. Г. Титаренко, “Модель кинетики формирования областей разупорядочения
в полупроводниках с учетом деформаций”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 750–753 |
| 9. |
В. А. Артемьев, В. В. Михнович, “О влиянии деформации на электростатический потенциал областей
разупорядочения в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 243–247 |
|
1987 |
| 10. |
В. А. Артемьев, В. В. Михнович, “О рекомбинации на областях разупорядочения в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 537–541 |
|
1986 |
| 11. |
В. А. Артемьев, В. В. Михнович, “Влияние упругих напряжений на кинетику формирования областей
разупорядочения в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 167–170 |
|
1984 |
| 12. |
В. В. Михнович, “Отжиг областей разупорядочения в $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1670–1673 |
| 13. |
В. В. Михнович, С. Г. Титаренко, “Межузельная стадия формирования областей разупорядочения
в $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1668–1670 |
|
1983 |
| 14. |
В. П. Кожевников, В. В. Михнович, “Модель зарядовой зависимости реакций формирования скоплений
радиационных дефектов в полупроводниках”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1361–1367 |
| 15. |
В. В. Михнович, С. Г. Титаренко, “Зависимость скорости формирования $E$-центров в кремнии от вида
легирующей донорной примеси”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1698–1701 |
| 16. |
В. П. Кожевников, В. В. Михнович, С. Г. Титаренко, “Формирование и рекомбинационная эффективность точечных радиационных
дефектов в электростатическом поле областей разупорядочения в $n$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 786–789 |
|
Обратная связь: