|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
Т. П. Ершова, С. Г. Ершов, В. Е. Жуков, В. В. Кораблев, В. Ю. Тюкин, “Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 323–327  |
|
1987 |
| 2. |
С. Г. Ершов, В. Е. Жуков, В. В. Кораблев, Р. Л. Немченок, “Определение скорости поверхностной рекомбинации полупроводников
с помощью электронного возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 911–915 |
|
1986 |
| 3. |
С. Г. Ершов, В. В. Кораблев, К. В. Свиташева, “Функция распределения медленных вторичных электронов в полупроводнике при электронном возбуждении”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1569–1571  |
| 4. |
С. Г. Ершов, В. В. Кораблев, Р. Л. Немченок, “Влияние электронного облучения на потенциал поверхности
полупроводников”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2231–2233 |
| 5. |
С. Г. Ершов, В. В. Кораблев, “Влияние свойств области пространственного заряда полупроводника на
вторичную электронную эмиссию”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 603–606 |
|
Обратная связь: