|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
В. И. Герасим, П. Н. Горлей, Н. И. Деркач, Д. М. Заячук, “Подвижность и механизмы рассеяния дырок
в $\text{Pb}_{0.92}\text{Sn}_{0.08}\text{S}_{0.8}\text{Se}_{0.2}$”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2102–2105  |
|
1988 |
| 2. |
П. Н. Горлей, “О температурной зависимости зонных параметров
дырок в теллуре”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 504–506 |
|
1987 |
| 3. |
П. Н. Горлей, “Аномалии термодинамических характеристик носителей в реальных кристаллах вблизи топологического перехода Лифшица”, Физика твердого тела, 29:5 (1987), 1595–1597  |
|
1986 |
| 4. |
П. Н. Горлей, “О возможности наблюдения в трехмерных системах фазового перехода $2\frac{1}{2}$ рода путем изменения концентрации примеси”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1541–1543 |
|
1984 |
| 5. |
П. Н. Горлей, Н. Я. Кушнир, “Определение параметров акцепторных уровней в теллуре”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1490–1492 |
|
1983 |
| 6. |
П. Н. Горлей, Н. Я. Кушнир, “Об анизотропии подвижности дырок в теллуре”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2097–2098 |
| 7. |
Н. Я. Кушнир, Н. П. Гавалешко, П. Н. Горлей, “Исправление к статье «Влияние анизотропии упругого
электрон-фононного рассеяния на величину подвижности теллура»
(ФТП, 17, 513, 1983)”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1722 ; N. Ya. Kushnir, N. P. Gavaleshko, P. N. Gorlei, “Correction”, Semiconductors, 17:9 (1983), 1100 |
| 8. |
Н. Я. Кушнир, Н. П. Гавалешко, П. Н. Горлей, “Влияние анизотропии упругого электрон-фононного рассеяния
на величину подвижности теллура”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 513–515 |
|
Обратная связь: