Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Сафаралиев Гаджимет Керимович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:64
Страницы публикаций:282
Полные тексты:167
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук
Дата рождения: 26.06.1950
E-mail:
Сайт: https://new.ras.ru/staff/chlen-korrespondent-ran/safaraliev-gadzhimet-kerimovich/; https://mgutm.ru/teacher/safaraliev-gadzhimet-kerimovich/

Основные темы научной работы

физика широкозонных полупроводников и высокотемпературной электроники

Научная биография:

В 1972 г. закончил физфак Дагестанского ГУ (ДГУ). Закончил очную аспирантуру Ленинградского электротехнического института (1972-75).

С 1975 по 2006 г. - снова в ДГУ (ассистент - зав. кафедрой экспериментальной физики, в 2001--06 гг. - президент Дагестанского государственного технического университета.

Позже Депутат, Государственная Дума Федерального Собрания РФ, профессор кафедры фотоники (Факультет цифровых технологий) МГУТУ им. К.Г. Разумовского (Москва), Научный руководитель НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха


https://www.mathnet.ru/rus/person161023
https://ru.wikipedia.org/wiki/Сафаралиев,_Гаджимет_Керимович
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=32114

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. А. С. Гусев, Н. И. Каргин, С. М. Рындя, Г. К. Сафаралиев, Н. В. Сигловая, М. О. Смирнова, И. О. Соломатин, А. О. Султанов, А. А. Тимофеев, “Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем”, ЖТФ, 91:6 (2021),  988–996  mathnet  elib; A. S. Gusev, N. I. Kargin, S. M. Ryndya, G. K. Safaraliev, N. V. Siglovaya, M. O. Smirnova, I. O. Solomatin, A. O. Sultanov, A. A. Timofeev, “Relaxation of mechanical stress in epitaxial films of cubic silicon carbide on silicon substrates with a buffer porous layer”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 869–877  scopus
1991
2. Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Широкозонные твердые растворы (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1437–1447  mathnet
3. Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, Ш. Ш. Шабанов, “Исследование растворимости и диффузии в системах SiC$-$NbC, SiC$-$TiC, SiC$-$ZrC”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  80–83  mathnet  isi
1989
4. Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  162–164  mathnet
1988
5. А. Х. Абдуев, Б. М. Атаев, С. А. Ашурбеков, М. К. Курбанов, Ш. А. Нурмагомедов, Г. К. Сафаралиев, “Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC”, Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1095–1098  mathnet  isi
1986
6. Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$”, Письма в ЖТФ, 12:17 (1986),  1043–1045  mathnet  isi
1984
7. Б. А. Билалов, Г. К. Сафаралиев, А. З. Эфендиев, “Исследование процесса кристаллизации карбида кремния из жидкой фазы при пропускании электрического тока”, ЖТФ, 54:10 (1984),  2016–2020  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024