|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Г. Ф. Глинский, М. В. Лупал, И. И. Парфенова, А. Н. Пихтин, “Тонкая структуры $A$-линии связанного экситона в твердом растворе
GaAs$_{x}$P$_{1-x}:{}$N”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 644–652  |
|
1990 |
| 2. |
М. В. Лупал, К. Л. Лютович, М. Ф. Панов, А. Н. Пихтин, В. А. Попов, “Параметры зонной структуры твердых растворов Si$_{x}$Ge$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1604–1607 |
| 3. |
С. А. Олеск, А. Н. Пихтин, А. Э. Юнович, “Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи
комнатной температуры”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 795–799 |
|
1989 |
| 4. |
А. Н. Пихтин, В.-М. Айраксинен, X. Липсанен, Т. Туоми, “Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом
фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1280–1282 |
| 5. |
Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов
(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 162–164 |
| 6. |
В. И. Зубков, А. Н. Пихтин, А. В. Соломонов, “Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых
растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 64–67 |
|
1988 |
| 7. |
А. Н. Пихтин, В. А. Попов, М. Юнис, “Фотоэффект, индуцированный эффектом Штарка на связанном экситоне
в GaP : N”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1107–1108 |
| 8. |
А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов, “Рефракция света в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 969–991 |
|
1987 |
| 9. |
В. И. Зубков, А. Н. Пихтин, А. В. Соломонов, “Глубокий донорный уровень в твердом растворе $Ga\,As_{1-x}\,P_{x}$”, Письма в ЖТФ, 13:14 (1987), 847–848  |
|
1986 |
| 10. |
Г. Ф. Глинский, Т. Н. Логинова, М. В. Лупал, А. Н. Пихтин, “Влияние изменений параметров зонной структуры на энергетический
спектр и сечение оптического поглощения связанных экситонов: азот
в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 672–676 |
| 11. |
Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$”, Письма в ЖТФ, 12:17 (1986), 1043–1045 |
|
1985 |
| 12. |
Н. П. Белов, А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов, “Магнитооптический эффект Фарадея в полупроводниках
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ и твердых растворах на их основе”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1612–1616 |
|
1984 |
| 13. |
Г. А. Коркоташвили, А. Н. Пихтин, И. Г. Пичугин, А. М. Царегородцев, “Край собственного поглощения и катодолюминесценция нелегированных
эпитаксиальных слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1462–1466 |
|
Обратная связь: