|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
А. Н. Андронов, Г. Б. Стучинский, Е. И. Янюшкин, Т. В. Янюшкина, “Энергетические распределения вторичных электронов из арсенида галлия с отрицательным электронным сродством”, Физика твердого тела, 31:5 (1989), 23–30   |
| 2. |
Г. Б. Стучинский, Е. И. Янюшкин, Т. В. Янюшкина, “Отражение медленных электронов и вторичная электронная эмиссия ОЭС
эмиттера на основе GaAsP”, ЖТФ, 59:7 (1989), 168–170 |
|
1987 |
| 3. |
Ю. П. Яшин, А. И. Климин, Ю. А. Мамаев, В. Н. Петров, Г. Б. Стучинский, Е. И. Янюшкин, “Спин-поляризованная фотоэмиссия из GaAsP”, Физика твердого тела, 29:5 (1987), 1441–1445 |
|
1986 |
| 4. |
Г. Б. Стучинский, Е. И. Янюшкин, Т. В. Янюшкина, “Связь энергетических распределений вторичных электронов с работой
выхода эмиттеров на основе фосфида галлия”, ЖТФ, 56:3 (1986), 591–593 |
|
1984 |
| 5. |
Б. Н. Либенсон, Г. Б. Стучинский, Е. И. Янюшкин, Т. В. Янюшкина, “Энергетическое распределение вторичных электронов из эмиттеров с отрицательным электронным сродством на основе кристаллов GaP”, Физика твердого тела, 26:8 (1984), 2424–2427 |
| 6. |
Б. Н. Либенсон, А. И. Климин, Г. Б. Стучинский, “Релаксация энергии горячих $\Gamma$-электронов в $p$-GaAs с отрицательным электронным сродством за счет возбуждения связанных поверхностных плазмон-фононных мод колебаний”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 330–334 |
|
1983 |
| 7. |
Г. Б. Стучинский, Г. А. Федорова, М. М. Шефтель, “Электронно-возбужденная проводимость в гетероструктурах селенид
кадмия–аморфный полупроводник”, Письма в ЖТФ, 9:6 (1983), 370–373 |
|
Обратная связь: