|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых
тиристорных структур”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1134–1137  |
| 2. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых
диодных структур”, Письма в ЖТФ, 14:16 (1988), 1526–1530  |
| 3. |
А. С. Арджанов, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. В. Закс, Н. И. Кузнецов, А. Б. Слуцкий, В. Я. Стояновский, В. Е. Челноков, “Высоковольтные арсенидгалиевые силовые диоды большой площади”, Письма в ЖТФ, 14:13 (1988), 1153–1156 |
| 4. |
М. М. Аникин, С. Н. Вайнштейн, М. Е. Левинштейн, A. M. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя
в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах”, Письма в ЖТФ, 14:6 (1988), 545–547 |
|
1987 |
| 5. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 129–133 |
| 6. |
С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Динистор на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987), 991–993 |
| 7. |
С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, М. Е. Левинштейн, С. В. Рендакова, “О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987), 741–743 |
| 8. |
С. Н. Вайнштейн, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Подавление светом шума $1/f$ в арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 645–648 |
|
1986 |
| 9. |
С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых
и кремниевых тиристоров”, ЖТФ, 56:7 (1986), 1343–1347 |
| 10. |
О. А. Беляева, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, Ю. В. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров”, Письма в ЖТФ, 12:15 (1986), 925–928 |
|
1984 |
| 11. |
А. Г. Астафуров, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой
площади”, Письма в ЖТФ, 10:23 (1984), 1430–1433 |
| 12. |
В. М. Ботнарюк, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной
структуры”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 385–388 |
|
1983 |
| 13. |
С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Основные параметры включения
арсенид-галлиевых тиристоров”, ЖТФ, 53:3 (1983), 573–575 |
| 14. |
С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах”, Письма в ЖТФ, 9:9 (1983), 546–549 |
|
Обратная связь: