|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
A. E. Aleksenskii, S. P. Vul', A. T. Dideikin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, M. K. Rabchinskii, V. V. Afrosimov, “Etching of wrinkled graphene oxide films in noble gas atmosphere under UV irradiation”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016), 81–86   |
4
|
|
2014 |
| 2. |
V. V. Afrosimov, A. T. Dideykin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, S. P. Vul', “Utilizing of the Medium-Energy Ion Scattering spectrometry for the composition investigation of graphene oxide films on silicon surface”, Наносистемы: физика, химия, математика, 5:1 (2014), 113–116  |
|
1991 |
| 3. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, И. И. Сайдашев, П. Г. Петросян, “Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе
твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1718–1720 |
| 4. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, “Влияние потока водорода на параметры слоев GaAs, выращенных методом
жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:13 (1991), 76–81 |
|
1987 |
| 5. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых
растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 662–665 |
|
1986 |
| 6. |
А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, С. П. Вуль, “Корреляционное распределение примесей в нелегированных эпитаксиальных
слоях твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1227–1233 |
| 7. |
С. П. Вуль, А. Я. Вуль, П. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев, “Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 12:15 (1986), 912–916 |
|
1985 |
| 8. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, Ю. В. Шмарцев, “Высокоселективный фоторезистор на основе твердых растворов в системе $Ga\,As-Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:12 (1985), 717–720 |
| 9. |
А. Я. Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Высокоэффективный быстродействующий фоторезистор большой площади на диапазон длин волн $0.9$–$1.1$ мкм”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 7–11 |
|
1983 |
| 10. |
Ю. Ф. Бирюлин, С. П. Вуль, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого
раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$)
и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 103–107 |
|
Обратная связь: