|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, В. Н. Фулга, “О фазовом переходе порядок$-$беспорядок в катионной подрешетке
соединения ZnGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1725–1727  |
| 2. |
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, Е. А. Кудрявцева, “Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами
с энергией ${3.5\div4}$ МэВ”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1581–1583 |
|
1988 |
| 3. |
И. М. Тигиняну, Н. Б. Пышная, А. В. Спицын, В. В. Урсаки, “Влияние имплантации ионов собственных компонентов
на электрические свойства кристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1814–1817 |
| 4. |
А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1110–1112 |
|
1986 |
| 5. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1179–1180  |
| 6. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена
на спектры фотопроводимости и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$»”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2131 ; A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»”, Semiconductors, 20:11 (1986), 1332 |
| 7. |
А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Температурная зависимость края поглощения в соединениях
CdGa$_{2}$Se$_{4}$ и CdIn$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1914–1916 |
| 8. |
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости
и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1116–1118 |
|
1985 |
| 9. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Фотопроводимость фосфида индия, обусловленная антиструктурным дефектом
P$_{\text{In}}$”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1310–1312 |
| 10. |
А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида
индия”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 810–813 |
|
1984 |
| 11. |
А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах
InP$\langle$Fe$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1812–1815 |
|
Обратная связь: