|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Г. С. Бушмарина, И. А. Драбкин, М. А. Квантов, О. Е. Квятковский, “Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 2869–2880   |
| 2. |
О. Е. Квятковский, “Строение валентной зоны соединений A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 2862–2868 |
| 3. |
О. Е. Квятковский, “Определение критических точек зонного спектра по концентрационным и температурным зависимостям магнитной восприимчивости в слабом магнитном поле”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2533–2542 |
|
1988 |
| 4. |
О. Е. Квятковский, Е. Г. Максимов, “Микроскопическая теория динамики решетки и природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах”, УФН, 154:1 (1988), 3–48 ; O. E. Kvyatkovskii, E. G. Maksimov, “Microscopic theory of the lattice dynamics and the nature of the ferroelectric instability in crystals”, Phys. Usp., 31:1 (1988), 1–26 |
28
|
|
1987 |
| 5. |
И. А. Драбкин, О. Е. Квятковский, Б. Я. Мойжес, Л. М. Сысоева, “Двухэлектронный донорный уровень в теллуриде германия”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 188–191 |
|
1986 |
| 6. |
О. Е. Квятковский, “Диполь-дипольное взаимодействие в кристаллах и сегнетоэлектрические свойства соединений A$^{4}$B$^{6}$”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 983–990 |
|
1985 |
| 7. |
О. Е. Квятковский, “Об эффектах внутреннего поля в полупроводниках и диэлектриках”, Физика твердого тела, 27:9 (1985), 2673–2682 |
1
|
|
1983 |
| 8. |
О. Е. Квятковский, “Размерный эффект в задаче об эффективной проводимости неоднородной
среды в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 938–941 |
|
Обратная связь: