|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
О. М. Вяселев, А. А. Гиппиус, Н. Е. Случанко, Н. Ю. Шицевалова, “Низкотемпературная кристаллизация дефектов структуры в LuB$_{12}$ по данным ЯМР спектроскопии $^{175}$Lu”, Письма в ЖЭТФ, 119:7 (2024), 524–528  ; O. M. Vyaselev, A. A. Gippius, N. E. Sluchanko, N. Yu. Shitsevalova, “Low-temperature crystallization of structural defects in LuB$_{12}$ according to $^{175}$Lu NMR data”, JETP Letters, 119:7 (2024), 529–533 |
| 2. |
A. V. Sadakov, A. A. Gippius, A. T. Daniyarkhodzhaev, A. V. Muratov, A. V. Kliushnik, O. A. Sobolevskiy, V. A. Vlasenko, A. I. Shilov, K. S. Pervakov, “Multiband superconductivity in KCa$_2$Fe$_4$As$_4$F$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024), 118–119 ; JETP Letters, 119:2 (2024), 111–117 |
2
|
|
1992 |
| 3. |
А. М. Гукасян, В. В. Ушаков, А. А. Гиппиус, А. В. Марков, “Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации
в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 525–529 |
|
1989 |
| 4. |
С. А. Казарян, А. А. Гиппиус, В. С. Вавилов, “Взаимодействие имплантированных атомов никеля с дефектами и примесями
в природном алмазе (по данным люминесценции)”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 156–161 |
|
1988 |
| 5. |
А. А. Гиппиус, В. В. Мощалков, С. А. Позигун, М. В. Семенов, В. И. Воронкова, В. К. Яновский, “Анизотропия магнитных свойств монокристалла YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$”, Физика твердого тела, 30:11 (1988), 3485–3487  |
| 6. |
Н. Б. Брандт, А. А. Гиппиус, В. В. Мощалков, Хо Хыу Нян, В. Н. Гурин, М. М. Корсукова, Ю. Б. Кузьма, “Электрические и магнитные свойства соединений LnAlB$_{14}$ (Ln = Tb, Dy, Но, Er, Lu)”, Физика твердого тела, 30:5 (1988), 1380–1383 |
| 7. |
Н. Б. Брандт, В. В. Мощалков, А. А. Гиппиус, А. Н. Тихонов, И. Э. Грабой, А. Р. Кауль, Ю. Д. Третьяков, “ЭПР и магнитные свойства высокотемпературных сверхпроводников RBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ (R = Ho, Sm, Eu, Y)”, Физика твердого тела, 30:4 (1988), 1210–1214 |
| 8. |
В. Н. Якимкин, В. В. Ушаков, А. А. Гиппиус, В. С. Вавилов, А. Э. Седельников, В. А. Дравин, В. В. Черняев, Н. Ю. Пономарев, “Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1563–1568 |
|
1987 |
| 9. |
В. В. Черняев, Н. Ю. Пономарев, В. В. Ушаков, В. А. Дравин, А. А. Гиппиус, “Энергетические уровни в фосфиде галлия, ионно-имплантированном
ниобием”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2240–2242 |
|
1986 |
| 10. |
Н. Б. Брандт, В. В. Мощалков, Н. Е. Случанко, Г. С. Бурханов, А. А. Гиппиус, М. В. Семенов, Т. М. Шкатова, “Магнитные и термоэлектрические свойства соединений Ce$_{x}$La$_{1-x}$Al$_{3}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$)”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 921–924 |
|
1985 |
| 11. |
Н. Б. Брандт, В. В. Мощалков, Н. Е. Случанко, А. А. Гиппиус, Т. М. Шкатова, “Электрические и термоэлектрические свойства соединений Ce$_{x}$Ni$_{y}$”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2484–2487 |
|
1983 |
| 12. |
В. В. Ушаков, А. А. Гиппиус, “Люминесценция примеси вольфрама в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1386–1391 |
| 13. |
В. В. Ушаков, А. А. Гиппиус, В. А. Дравин, “Люминесценция центров тантала
в GaAs и GaP”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1174–1179 |
| 14. |
И. Ш. Хасанов, А. В. Кузнецов, А. А. Гиппиус, С. А. Семилетов, “Катодолюминесценция GaN, легированного методом ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 294–298 |
|
Обратная связь: