|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Л. Б. Ведмидь, О. М. Федорова, В. Б. Балакирева, В. А. Воротников, В. Ф. Балакирев, “Структура и электропроводность перовскитов Pr$_{1-x}$Sr$_{x}$MnO$_{3}$ ($x$ = 0; 0.15; 0.25)”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 465–470   ; L. B. Vedmid', O. M. Fedorova, V. B. Balakireva, V. A. Vorotnikov, V. F. Balakirev, “Structure and electrical conductivity of the perovskites Pr$_{1-x}$Sr$_{x}$MnO$_{3}$ ($x$ = 0; 0.15; 0.25)”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 660–665 |
4
|
|
1991 |
| 2. |
Д. А. Винокуров, В. М. Лантратов, М. А. Синицын, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, О. М. Федорова, Я. Л. Шайович, Б. С. Явич, “Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs,
выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС
гидридном процессе”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1022–1029 |
|
1989 |
| 3. |
И. А. Кузьмин, А. Г. Машевский, Д. Р. Строганов, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении
и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1420–1425 |
|
1988 |
| 4. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, Д. Р. Строганов, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Флуктуации ширины квантовых ям
и низкотемпературная фотолюминесценция
GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структур,
полученных МОС-гидридным методом”, Письма в ЖТФ, 14:13 (1988), 1217–1220  |
| 5. |
О. В. Коваленков, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Исследование
GaAs$-$AlGaAs квантово-размерных структур, полученных МОС-гидридным методом”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 222–226 |
|
1987 |
| 6. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого
раствора Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As : Si”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 754–756 |
|
1986 |
| 7. |
В. А. Малинов, А. Д. Стариков, В. К. Тибилов, О. М. Федорова, “Быстродействующий высоковольтный оптоэлектронный ключ”, ЖТФ, 56:3 (1986), 577–579 |
1
|
| 8. |
А. Д. Зорин, Е. Н. Каратаев, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, “Исследование природы акцепторных примесей в нелегированных
эпитаксиальных слоях GaAs, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2163–2168 |
| 9. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, БюСюЯвич, “Глубокий донорный уровень Si в твердых растворах
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1919–1921 |
|
1985 |
| 10. |
В. М. Андреев, А. М. Аллахвердиев, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов, “Низкая скорость поверхностной рекомбинации
(${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1826–1829 |
| 11. |
А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова, Б. С. Явич, “Исследование многослойных $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ структур на наклонных сечениях, изготовленных химическим травлением”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 21–24 |
|
1984 |
| 12. |
В. М. Андреев, Н. М. Сараджишвили, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов, “Тонкопленочные AlGaAs гетерофотоэлементы с удаленной GaAs подложкой”, ЖТФ, 54:6 (1984), 1215–1218 |
|
1983 |
| 13. |
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов, “Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs
солнечные фотоэлементы с КПД
19% (AM 0)
и 24% (AM 1.5)”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1251–1254 |
|
Обратная связь: