|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, Д. Л. Нугманов, Н. Ю. Орлов, А. В. Рожков, “О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных
тиристоров на основе гетероструктуры”, ЖТФ, 59:2 (1989), 156–158   |
|
1988 |
| 2. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного
тиристора на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 413–418 |
|
1987 |
| 3. |
Б. И. Григорьев, “Быстродействие при включении биполярного гетеротранзистора
с варизонным коллектором”, ЖТФ, 57:6 (1987), 1157–1160 |
| 4. |
Б. И. Григорьев, “Напряжение насыщения и коэффициент усиления по току
$N^{+}{-}N{-}P{-}N^{+}$-гетеротранзисторов с варизонным коллектором”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 134–139 |
| 5. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, М. Насруллоева, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, А. Халмирзаев, “Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1270–1274 |
|
1986 |
| 6. |
Б. И. Григорьев, “Теория стационарных режимов насыщения мощных высоковольтных составных
транзисторов”, ЖТФ, 56:3 (1986), 547–551 |
| 7. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо
легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов
и тиристоров”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1897–1900 |
| 8. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных
транзисторах на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 677–682 |
|
1985 |
| 9. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, В. С. Юферев, “Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе
гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 878–884 |
| 10. |
Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо
легированного GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 167–169 |
|
1983 |
| 11. |
Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных
эпитаксиальных слоях GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1953–1956 |
|
Обратная связь: