|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
1. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. А. Эфрос, Т. В. Язева, М. А. Абдуллаев, “Квазиландауское осциллирующее магнитопоглощение ридберговских состояний экситона InP в «промежуточном» магнитном поле”, Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1719–1734 |
2. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, М. А. Абдуллаев, “Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах
In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 493–503 |
|
1990 |
3. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, “Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP”, Физика твердого тела, 32:4 (1990), 999–1006 |
|
1989 |
4. |
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян, “«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида
кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1160–1163 |
5. |
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, “Край оптического поглощения «чистых»
эпитаксиальных слоев InP”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1156–1159 |
6. |
М. А. Абдуллаев, А. Т. Гореленок, С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Д. В. Пуляевский, Р. П. Сейсян, К. Э. Штенгель, “Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 201–206 |
|
1986 |
7. |
К. И. Гейман, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Юкиш, Ал. Л. Эфрос, “Экситонные состояния в межзонном поглощении теллурида свинца при наличии магнитного поля”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 855–861 |
|
1983 |
8. |
В. И. Иванов-Омский, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Смирнов, В. А. Юкиш, Ш. У. Юлдашев, “Спектры поглощения и фотолюминесценции Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1214–1216 |
9. |
Л. М. Канская, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, В. А. Юкиш, “Параметры энергетических зон кристаллов арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 718–720 |
10. |
В. И. Иванов-Омский, С. И. Кохановский, Р. П. Сейсян, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, “Обнаружение экситонной люминесценции в кристаллах антимонида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 532–534 |
11. |
С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, “Эффект фотопоглощения в спектрах диамагнитных экситонов
кристаллов InSb”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 501–503 |
|