|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. И. Лихачев, А. Н. Нащекин, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Определение толщин и визуализация ионообменных волноводов в стеклах методом растровой электронной микроскопии”, ЖТФ, 89:3 (2019), 456–459   ; A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, R. V. Sokolov, S. G. Konnikov, “Determination of the thicknesses and visualization of ion-exchange waveguides in glasses by scanning electron microscopy”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 418–421 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников, “Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 89–92 ; M. E. Boiko, M. D. Sharkov, L. B. Karlina, A. M. Boiko, S. G. Konnikov, “X-ray study of the superstructure in heavily doped porous indium phosphide”, Semiconductors, 52:1 (2018), 84–87 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
М. Д. Шарков, М. Е. Бойко, А. М. Бойко, В. А. Боровиков, М. Н. Григорьев, С. Г. Конников, “Рентгеновские исследования формирования доменов в горных породах под взрывным воздействием”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2248–2251 ; M. D. Sharkov, M. E. Boiko, A. M. Boiko, V. A. Borovikov, M. N. Grigor'ev, S. G. Konnikov, “X-ray studies of the domain formation in rocks under blasting”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2331–2334 |
|
2013 |
| 4. |
А. В. Емельянов, Е. А. Константинова, П. А. Форш, А. Г. Казанский, М. В. Хенкин, Н. Н. Петрова, Е. И. Теруков, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, С. Г. Конников, П. К. Кашкаров, “Особенности структуры и дефектных состояний в пленках
гидрогенизированного полиморфного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013), 536–540 ; A. V. Emelyanov, E. A. Konstantinova, P. A. Forsh, A. G. Kazanskii, M. V. Khenkin, N. N. Petrova, E. I. Terukov, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, S. G. Konnikov, P. K. Kashkarov, “Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films”, JETP Letters, 97:8 (2013), 466–469   |
10
|
|
1992 |
| 5. |
Н. А. Берт, Д. 3. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, Ю. Г. Мусихин, “Электронно-микроскопические исследования ЖФЭ структур
InGaAsP/InGaP/GaAs
с тонкими (${<10}$ нм) слоями”, ЖТФ, 62:2 (1992), 105–111 |
| 6. |
С. Г. Конников, Г. Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, “Поляриметрические свойства поверхностно-барьерных структур
Ni${-}n{-}$GaAs”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992), 32–37 |
| 7. |
С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов, Ж. Ханов, “Наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов ITO$-$A$^{3}$B$^{5}$ (GaP, GaP$_{x}$As$_{1-x}$)”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992), 11–15 |
| 8. |
С. Г. Конников, С. А. Соловьев, В. А. Соловьев, М. Э. Гаевский, “Определение локальных параметров ($T_{c}$, $\Delta T_{c}$) ВТСП
пленок”, Письма в ЖТФ, 18:21 (1992), 20–23 |
| 9. |
С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, “Поляриметрический эффект в структурах Au${-}n$-GaAs”, Письма в ЖТФ, 18:12 (1992), 39–42 |
| 10. |
С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, Л. М. Федоров, “Фотоплеохроизм многослойных GaP поверхностно-барьерных структур”, Письма в ЖТФ, 18:12 (1992), 11–15 |
| 11. |
В. К. Еремин, Е. М. Вербицкая, С. Г. Конников, Л. С. Медведев, Н. Б. Строкан, “Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких
ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов”, Письма в ЖТФ, 18:6 (1992), 91–94 |
|
1991 |
| 12. |
П. Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С. Г. Конников, В. Г. Никитин, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, “Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава
Ga$-$Bi”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 338–342 |
|
1990 |
| 13. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, К. Ю. Погребицкий, Б. В. Царенков, “Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной
эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания
супертонких слоев $A^{3}B^{5}$”, ЖТФ, 60:1 (1990), 165–169 |
| 14. |
С. Г. Конников, М. И. Свердлов, Ф. Я. Филипченко, А. А. Хазанов, “Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных
гетеролазеров”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2010–2016 |
| 15. |
П. Н. Брунков, В. П. Евтихиев, С. Г. Конников, Е. Ю. Котельников, М. Г. Папенцев, М. М. Соболев, “Обнаружение нового метастабильного уровня $DX$-центра в тонких
легированных Si слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 1978–1982 |
| 16. |
П. Н. Брунков, В. С. Калиновский, С. Г. Конников, М. М. Соболев, О. В. Сулима, “Особенности поведения радиационных дефектов в структурах
на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1320–1322 |
| 17. |
С. Г. Конников, В. А. Поссе, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Определение электрофизических параметров полупроводников методом
математического моделирования сигнала индуцированного тока”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 271–275 |
| 18. |
С. Г. Конников, С. А. Соловьев, В. Е. Уманский, С. Ф. Карманенко, О. В. Косогов, “Прямое наблюдение пространственной неоднородности сверхпроводимости
ВТСП пленок методом низкотемпературной растровой электронной микроскопии”, Письма в ЖТФ, 16:10 (1990), 47–51 |
|
1989 |
| 19. |
П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, М. Н. Степанова, “Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной
эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1689–1691 |
| 20. |
С. Г. Конников, О. В. Салата, В. А. Соловьев, М. А. Синицын, В. Е. Уманский, Д. А. Винокуров, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных
слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1416–1419 |
| 21. |
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных
слоев в растровом электронном микроскопе (теория)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1411–1415 |
| 22. |
М. М. Соболев, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, В. Г. Никитин, В. П. Улин, А. Ш. Долбая, Т. Д. Камушадзе, Р. М. Майсурадзе, “Механизм компенсации в многослойных структурах на основе
нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1058–1065 |
| 23. |
С. Г. Конников, С. К. Павлов, К. Д. Цэндин, Е. И. Шифрин, В. Х. Шпунт, “Эффект скачкообразного увеличения проводимости стимулированного
электронным пучком в легированных стеклообразных полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989), 48–51 |
| 24. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий
$p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb
для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 15–19 |
|
1988 |
| 25. |
С. Г. Конников, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, И. И. Лодыженский, “Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при
возбуждении электронным пучком в РЭМ”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1803–1807 |
| 26. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе
GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1671–1675 |
| 27. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова, “Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1651–1655 |
| 28. |
Н. А. Берт, С. Г. Конников, А. В. Корольков, К. Ю. Погребицкий, “Изменение состава арсенида галлия вблизи поверхности при
бомбардировке Ar$^{+}$-ионами”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 673–676 |
| 29. |
И. Н. Арсентьев, Н. А. Берт, А. В. Васильев, Д. З. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, А. В. Кочергин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Многослойные периодические структуры в системе
Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 14:7 (1988), 593–597 |
| 30. |
Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные
AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями
толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 171–176 |
|
1987 |
| 31. |
В. А. Елюхин, С. Ю. Карпов, С. Г. Конников, Т. Б. Попова, С. А. Руколайне, Т. В. Чернева, М. К. Эбаноидзе, “Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом”, ЖТФ, 57:4 (1987), 747–754 |
| 32. |
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при возбуждении электронным пучком”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2028–2032 |
| 33. |
С. Г. Конников, О. В. Коваленков, К. Ю. Погребицкий, М. А. Синицын, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, Б. С. Явич, “Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров
периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1745–1749 |
| 34. |
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. А. Хусаинов, В. М. Чистяков, И. Н. Яссиевич, “Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых
гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1648–1653 |
| 35. |
С. Г. Конников, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, М. М. Соболев, Б. С. Явич, “Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1327–1329 |
| 36. |
С. Г. Конников, М. М. Соболев, “Определение параметров безызлучательной рекомбинации
в $p{-}n$-структурах с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 938–941 |
| 37. |
С. Г. Конников, “Информационное сообщение”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 770 ; S. G. Konnikov, “Information”, Semiconductors, 21:4 (1987), 473–474 |
| 38. |
С. Г. Конников, В. Е. Уманский, И. И. Лодыжинский, “Пикосекундная растровая электронная микроскопия быстродействующих полупроводниковых приборов”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987), 1183–1186 |
| 39. |
К. Ю. Кижаев, С. Г. Конников, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 132–136 |
|
1986 |
| 40. |
С. Г. Конников, Б. А. Матвеев, Т. Б. Попова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, В. Е. Уманский, “Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 789–792 |
| 41. |
И. Н. Арсентьев., Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, А. Е. Свелокузов, Н. Н. Фалеев, А. В. Чудинов, “Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев
${\leqslant20}$ Å”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2206–2211 |
| 42. |
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. В. Чудинов, А. А. Хусаинов, “Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1049–1054 |
| 43. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093 |
1
|
| 44. |
Н. Л. Баженов, Н. З. Жингарев, В. И. Иванов-Омский, С. Г. Конников, М. С. Никитин, В. К. Огородников, В. И. Процык, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd\,Te-Cd_{x}\,Hg_{1-x}\,Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)”, Письма в ЖТФ, 12:16 (1986), 976–979 |
| 45. |
В. М. Андреев, О. О. Ивентьева, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, Э. Пурон, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, “Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 533–537 |
|
1985 |
| 46. |
С. Г. Конников, “Рецензия на книгу Б.А. Тхорика и Л.С. Хазана «Пластическая
деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах»”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1341–1342 |
| 47. |
Н. А. Берт, В. И. Васильев, С. Г. Конников, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, “Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 193–197 |
|
1984 |
| 48. |
В. А. Елюхин, С. Г. Конников, М. И. Неменов, Л. П. Сорокина, Н. Н. Фалеев, “Кристаллизация гетероструктур из переохлажденных
растворов–расплавов”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2077–2079 |
| 49. |
С. И. Желудева, М. В. Ковальчук, С. Г. Конников, “Влияние глубины залегания $p{-}n$ перехода на кривые рентгеновской
эдс в условиях брэгговской дифракции”, ЖТФ, 54:3 (1984), 655–657 |
| 50. |
С. Г. Конников, А. О. Константинов, В. И. Литманович, “Исследование лавинного умножения в карбиде кремния с помощью
электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1556–1560 |
| 51. |
М. М. Соболев, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, “Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 383–385 |
| 52. |
А. Н. Баранов, Н. А. Берт, С. Г. Конников, В. И. Литманович, Т. С. Рогунова, Ю. П. Яковлев, “Неоднородное умножение в лавинных
фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице”, Письма в ЖТФ, 10:22 (1984), 1360–1364 |
| 53. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP
структурах”, Письма в ЖТФ, 10:3 (1984), 149–153 |
|
1983 |
| 54. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах
Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP”, ЖТФ, 53:2 (1983), 411–412 |
| 55. |
В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, Е. А. Поссе, В. Е. Уманский, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных
варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2173–2176 |
| 56. |
А. Н. Баранов, С. Г. Конников, Т. Е. Попова, Ю. П. Яковлев, “Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент
сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 645–648 |
|
|
|
2021 |
| 57. |
А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 893–894 |
|
Обратная связь: