|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
В. М. Андреев, А. М. Минтаиров, А. К. Намазов, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, А. Ю. Якимов, “AlGaAs/GaAs гетероструктуры, полученные методом ЖФЭ на кремнии”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 1–3   |
|
1990 |
| 2. |
П. Н. Брунков, В. С. Калиновский, С. Г. Конников, М. М. Соболев, О. В. Сулима, “Особенности поведения радиационных дефектов в структурах
на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1320–1322 |
|
1988 |
| 3. |
В. М. Андреев, Г. М. Гусинский, В. С. Калиновский, О. К. Салиева, В. А. Соловьев, О. В. Сулима, А. М. Хаммедов, “Влияние радиации на фотоэлектрические параметры
AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1391–1395 |
|
1986 |
| 4. |
В. М. Андреев, О. О. Ивентьева, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, Э. Пурон, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, “Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 533–537 |
|
1985 |
| 5. |
В. М. Андреев, О. В. Сулима, В. Питтрофф, “Влияние поверхности
Al$-$Ga$-$As гетероструктур на диффузию цинка из газовой фазы”, ЖТФ, 55:9 (1985), 1844–1846 |
| 6. |
В. М. Андреев, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, О. В. Сулима, О. К. Салиева, “Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа
AlGaAs гетерофотоэлементов”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1124–1129 |
| 7. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, М. З. Жингарев, Л. Е. Клячкин, В. В. Мамутин, Н. М. Сараджишвили, В. И. Скопина, О. В. Сулима, Н. М. Шмидт, “Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP
и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 668–673 |
| 8. |
В. М. Андреев, О. В. Сулима, А. М. Хаммедов, “Термостабильные концентраторные солнечные элементы на основе $Al\,Ga\,As$-гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 11:14 (1985), 853–857 |
|
1984 |
| 9. |
В. М. Андреев, О. В. Сулима, “Исследование диффузии цинка из газовой фазы в твердые растворы
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1320–1324 |
| 10. |
А. М. Аллахвердиев, В. М. Андреев, О. О. Ивентьева, О. В. Сулима, “Солнечные фотоэлементы на основе InP и твердых растворов
Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$P$_{1-y}$”, ЖТФ, 54:4 (1984), 862–864 |
| 11. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом
$300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы,
${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2057–2060 |
|
1983 |
| 12. |
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, О. В. Сулима, “Фотоэлектролюминесценция
в AlGaAs-гетероструктуpax”, Письма в ЖТФ, 9:17 (1983), 1058–1061 |
|
Обратная связь: