|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Б. И. Сысоев, В. Д. Стрыгин, Г. И. Котов, “Барьеры Шоттки на арсениде галлия, предварительно обработанном
в парах селена”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 22–26   |
|
1987 |
| 2. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, Е. В. Руднев, В. Д. Стрыгин, “Оценка поверхностной подвижности электронов в гетероструктуре арсенид
галлия–полупроводник со стехиометрическими вакансиями”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1310–1312 |
|
1986 |
| 3. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин, В. Н. Моргунов, “Изолирующее покрытие для арсенида галлия”, ЖТФ, 56:5 (1986), 913–915 |
| 4. |
Б. И. Сысоев, В. Д. Антюшин, В. Д. Стрыгин, “Об определении поверхностной подвижности в МДП структуре с переносом заряда”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 48–52 |
|
1984 |
| 5. |
В. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин, “Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых
структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1739–1743 |
|
Обратная связь: