|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, М. М. Кипнис, “Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью
по обогащенному слою”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 708–712  |
| 2. |
Б. И. Сысоев, Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин, А. В. Буданов, Т. В. Прокопова, С. В. Фетисова, “Свойства границы раздела InAs$-$тонкий полуизолирующий
слой In$_{2}$S$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 699–703 |
|
1990 |
| 3. |
Б. И. Сысоев, В. Д. Стрыгин, Г. И. Котов, “Барьеры Шоттки на арсениде галлия, предварительно обработанном
в парах селена”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 22–26  |
|
1988 |
| 4. |
Б. И. Сысоев, Е. В. Руднев, В. Ф. Антюшин, “Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре
с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1871–1873 |
| 5. |
В. Ф. Антюшин, Б. И. Сысоев, “Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое
резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 902–905 |
|
1987 |
| 6. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, Е. В. Руднев, В. Д. Стрыгин, “Оценка поверхностной подвижности электронов в гетероструктуре арсенид
галлия–полупроводник со стехиометрическими вакансиями”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1310–1312 |
|
1986 |
| 7. |
Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин, В. Н. Моргунов, “Изолирующее покрытие для арсенида галлия”, ЖТФ, 56:5 (1986), 913–915 |
| 8. |
Б. И. Сысоев, В. Д. Антюшин, В. Д. Стрыгин, “Об определении поверхностной подвижности в МДП структуре с переносом заряда”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 48–52 |
|
1985 |
| 9. |
Б. А. Зон, В. Я. Купершмидт, Б. И. Сысоев, “Влияние поляризации примесных центров на подвижность носителей
в двумерных структурах”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 140–142 |
|
Обратная связь: