|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Г. Г. Бабичев, В. Н. Гузь, И. П. Жадько, С. И. Козловский, В. А. Романов, “Перераспределение концентрации инжектированных носителей заряда
в искусственно анизотропной полупроводниковой пластине с кольцевыми
электродами”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1723–1727  |
| 2. |
Г. Г. Бабичев, В. Н. Гузь, И. П. Жадько, С. И. Козловский, В. А. Романов, “Исследование биполярного двухколлекторного тензотранзистора
с ускоряющим электрическим полем в базе”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1244–1250 |
|
1990 |
| 3. |
И. Н. Дубров, С. И. Козловский, Ю. М. Коростышевский, М. Д. Моин, “Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия
при лазерном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 763–766 |
| 4. |
В. Н. Гузь, И. П. Жадько, С. И. Козловский, В. А. Романов, “Перераспределение электрического потенциала в искусственно
анизотропной (по электропроводности) полупроводниковой пластине с кольцевыми
электродами”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 409–412 |
|
1987 |
| 5. |
С. И. Козловский, “Междолинные релаксационные параметры в германии при 300 K”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1322–1324 |
|
1986 |
| 6. |
С. И. Козловский, М. Д. Моин, “Поперечный фотовольтаический эффект в кремнии, обусловленный
междолинным диффузионным перезаселением электронов
при лазерном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 806–810 |
| 7. |
И. П. Жадько, С. И. Козловский, В. А. Романов, “Поперечный эффект Дембера в полупроводниках с неоднородной анизотропией электропроводности”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 40–43 |
|
1985 |
| 8. |
С. И. Козловский, М. Д. Моин, “Поперечная фотоэдс, возникающая в германии при экстремальных уровнях
лазерного возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 864–868 |
|
1984 |
| 9. |
С. И. Козловский, М. Д. Моин, “Поперечный фотовольтаический эффект, возникающий
при лазерном
возбуждении германия вследствие термического изменения ширины запрещенной
зоны полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1772–1777 |
|
Обратная связь: