|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
1. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, А. Н. Титков, “Мелкий акцепторный уровень марганца в антимониде галлия”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 21–24 |
2. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, В. А. Смирнов, А. Н. Титков, “Особенности оптической ориентации электронов в сплавах
Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 32–35 |
|
1990 |
3. |
А. Н. Титков, В. Н. Чебан, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа
GalnAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1056–1061 |
4. |
Р. И. Джиоев, А. Б. Журавлев, Е. Л. Портной, А. Н. Титков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs,
облученном протонами”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 89–93 |
|
1988 |
5. |
А. Б. Журавлев, В. А. Марущак, Е. Л. Портной, Н. М. Стельмах, А. Н. Титков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в $p$-GaAs,
облученном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 352–354 |
6. |
Г. Е. Пикус, В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических
кристаллах $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 185–200 |
|
1987 |
7. |
Г. Н. Илуридзе, А. Н. Титков, Е. И. Чайкина, “Внутризонное поглощение антимонида галлия $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 80–83 |
|
1986 |
8. |
Г. Н. Илуридзе, И. Ф. Миронов, А. Н. Титков, В. А. Чебан, “Влияние рассогласования зонных параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ на
скорость межзонной оже-рекомбинации в Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 495–498 |
9. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Спиновое расщепление зоны проводимости в InP”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 347–350 |
10. |
А. Н. Титков, Г. Н. Илуридзе, И. Ф. Миронов, В. А. Чебан, “Межзонная оже-рекомбинация с участием спин-орбитально отщепленной валентной зоны в кристаллах GaSb $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 25–34 |
|
1985 |
11. |
В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Оптическая ориентация в деформированных полупроводниковых кристаллах при произвольном направлении деформации”, Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1423–1428 |
12. |
Т. С. Лагунова, В. А. Марущак, М. Н. Степанова, А. Н. Титков, “Подвижность неравновесных электронов в кристаллах
GaAs $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 118–122 |
|
1984 |
13. |
В. В. Агаев, А. Н. Титков, Е. И. Чайкина, “Примесная оже-рекомбинация в GaSb $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 750–752 |
|
1983 |
14. |
В. А. Марущак, М. Н. Степанова, А. Н. Титков, “Спиновая релаксация электронов проводимости в умеренно легированных кристаллах GaAs”, Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3537–3542 |
1
|
|