|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
1. |
М. И. Клингер, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “О локализованных возбужденных состояниях центров с отрицательной
корреляционной энергией в стеклах”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1869–1873 |
2. |
В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Электронные свойства бистабильных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1795–1799 |
3. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, М. И. Клингер, “Двухузельная модель дефектов типа $A$-центров”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1153–1157 |
|
1989 |
4. |
В. Н. Корнелюк, И. В. Савицкий, О. И. Шпотюк, И. И. Ясковец, “Механизм реверсивных фотоиндуцированных эффектов в тонких пленках As$_{2}$S$_{3}$”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 311–313 |
5. |
В. И. Шаховцов, И. И. Ясковец, “Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах
кислорода в Si”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 914–916 |
6. |
В. И. Шаховцов, С. И. Шаховцова, М. М. Шварц, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Подвижность носителей тока в твердых растворах
Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 48–51 |
|
1988 |
7. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами
с сильным электрон-решеточным взаимодействием”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 547–550 |
8. |
В. Б. Неймаш, М. Г. Соснин, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, И. И. Ясковец, “Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 206–209 |
|
1987 |
9. |
Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах
Si$\langle$Ge$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 562–565 |
|
1986 |
10. |
М. И. Клингер, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Спектральные и термодинамические свойства электронов в щели по подвижности стеклообразных систем”, Физика твердого тела, 28:2 (1986), 470–480 |
|
1985 |
11. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Статистика носителей тока в $p$-Si с вакансиями”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1845–1848 |
|
1984 |
12. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “К теории проводимости и эффекта Холла в неоднородных полупроводниках”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1725–1730 |
|
1983 |
13. |
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “К теории эффекта Нернста–Эттингсгаузена в неоднородных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1691–1694 |
|